NCEP13N10AS

NCEP13N10AS http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The NCEP13N10AS uses Super Trench II technology that is ● VDS =100V,ID =10A uniquely optimized to provide the most efficient high frequency RDS(ON)=12mΩ (typical) @ VGS=10V switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=15mΩ (typical) @ VGS=4.5V losses are mi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJS15G10A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 300 шт
 
A+ LNA7608HDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ NCEP092N10AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ LNB8616DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB8614DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB8612DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
A+ LNB8610HDT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB8610DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
A+ LNB86085DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNA7610HDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ WMS080N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
A+ LN7610DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
A+ LN7706DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN7609DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN76098DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN76082DT1WG (LRC)
 
 
±
A+ LN76076HDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN76076DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ CRSE120N10L2 (CRMICRO)
 
SOP-8
 
A+ NCEP0112AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ LN4292T1G (LRC)
 
SOP-8
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCEP13N10AS http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The NCEP13N10AS uses Super Trench II technology that is ● VDS =100V,ID =10A uniquely optimized to provide the most efficient high frequency RDS(ON)=12mΩ (typical) @ VGS=10V switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=15mΩ (typical) @ VGS=4.5V losses are minimized due to an extremely low combination of ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ● Very low on-resistance RDS(on) and synchronous rectification. ● 150°C operating temperature ● Pb-free lead plating Application ● DC/DC Converter 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification SOP-8 Top View Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP13N10AS NCEP13N10AS SOP-8 Ø330mm 12mm 4000 units Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 10 A ID (100℃) 7 A IDM 40 A PD 3.3 W EAS 156 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 38 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Pulsed Drain Current Maximum Power Dissipation Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V1.0 PDF
Документация на NCEP13N10AS 

Microsoft Word - NCEP13N10AS data sheet.doc

Дата модификации: 24.03.2020

Размер: 302.8 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.