NCEP13N10AS

NCE
NCEP13N10AS http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The NCEP13N10AS uses Super Trench II technology that is ● VDS =100V,ID =10A uniquely optimized to provide the most efficient high frequency RDS(ON)=12mΩ (typical) @ VGS=10V switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=15mΩ (typical) @ VGS=4.5V losses are mi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJQ07N10 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 ± — — — — —
P- WMS099N10LGS (WAYON)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт — — —
P- IRF7854TRPBF-VB (VBSEMI)
 
— в ленте 200 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF7493TRPBF-VB (VBSEMI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJS11G10A (YJ)
 
SOP-8 в ленте 4000 шт
 
 — — — — —
A+ WMS080N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
A+ NCEP092N10AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — —
A+ WMS175N10LG4 (WAYON)
 
— 4000 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCEP13N10AS http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The NCEP13N10AS uses Super Trench II technology that is ● VDS =100V,ID =10A uniquely optimized to provide the most efficient high frequency RDS(ON)=12mΩ (typical) @ VGS=10V switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=15mΩ (typical) @ VGS=4.5V losses are minimized due to an extremely low combination of ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ● Very low on-resistance RDS(on) and synchronous rectification. ● 150°C operating temperature ● Pb-free lead plating Application ● DC/DC Converter 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification SOP-8 Top View Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP13N10AS NCEP13N10AS SOP-8 Ø330mm 12mm 4000 units Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 10 A ID (100℃) 7 A IDM 40 A PD 3.3 W EAS 156 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 38 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Pulsed Drain Current Maximum Power Dissipation Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V1.0 PDF
Документация на NCEP13N10AS 

Microsoft Word - NCEP13N10AS data sheet.doc

Дата модификации: 24.03.2020

Размер: 302.8 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)