NCEP15T14D

NCE
NCEP15T14D http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP15T14D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and syn...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK071N15HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 500 шт
 
 — — — — — —
A+ WMK161N15T2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ NCEP15T14LL (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP15T14 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ JMSH1504NTL-13 (JIEJIE)
 
TO2473 2000 шт
 
 — — — —
A+ WMM161N15T2 (WAYON)
 
TO263 1 шт
 
 — — —
A+ NCEP15T14T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
 — — —
A+ CRST052N15N3Z (CRMICRO)
 
TO-220-3
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCEP15T14D http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP15T14D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. General Features Schematic diagram ● VDS =150V,ID =140A RDS(ON)=5.6mΩ , typical @ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating ● 100% UIS tested Application TO-263-2L top view ● DC/DC Converter 100% UIS TESTED! ●Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification 100% ΔVds TESTED! Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP15T14D NCEP15T14D TO-263-2L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 140 A ID (100℃) 100 A Pulsed Drain Current IDM 560 A Maximum Power Dissipation PD 320 W 2.1 W/℃ EAS 1296 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 0.47 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 1) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V4.0 PDF
Документация на NCEP15T14D 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 22.11.2022

Размер: 1.25 Мб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)