WMM053N10HGS
WMM053N10HGS
100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMM053N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
D
resistance and yet maintain superior switching performance. This
G
device is well suited for high efficiency fast switching applications.
S
TO-263
Features
VDS = 100V, ID = 120A
RDS(on) ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Корпус: TO263
- Норма упаковки: 800 шт.
Аналоги 27
показать свернутьФайлы 1
показать свернуть
Документация на WMM053N10HGS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:
Дата модификации: 23.02.2023
Размер: 667.8 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.