NCEP4045GU

NCEP4045GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP4045GU uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and syn...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD60N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 5000 шт Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ JMSL0406AUQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ WMQ032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ JMTK60N04B (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
A+ JMTK4006A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
A+ JMTG055N04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ YJG60N04A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ JMSL0406AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSL0406AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ CJAB65N04 (JSCJ)
 
±
A+ CJAC90N04 (JSCJ)
 
 
±
A+ IRF1404 (YOUTAI)
 

IRF1404 (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
NCEP4045GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP4045GU uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. General Features Schematic Diagram ● VDS =40V,ID =45A RDS(ON)=6.0mΩ (typical) @ VGS=10V RDS(ON)=8.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V D D S S D D D D D D ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 150 °C operating temperature ● Pb-free lead plating ● 100% UIS tested Application S G G Top View S S S Bottom View ● DC/DC Converter 100% UIS TESTED! ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification 100% ΔVds TESTED! Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity P4045GU NCEP4045GU DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 45 A ID (100℃) 31.8 A Pulsed Drain Current IDM 180 A Maximum Power Dissipation PD 28 W 0.22 W/℃ EAS 115 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 1) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V3.0 PDF
Документация на NCEP4045GU 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 17.11.2022

Размер: 839.8 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.