2SC5053R

Shikues
2SC5053R NPN-Silicon General use Transistors 1W 、1.5A、25V 4 Applications：Can be used for switching and amplifying in various electrical and electronic circuit. 1 2 3 SOT-89 Maximum ratings Parameters Symbol Rating 25 Unit V Collector-emitter voltage (IB=0) VCEO Marking Collector-base voltage（IE=0） VCBO 40 V 2SC5053R=GD Emitter-base voltage（IC=0） VEBO 6 V IC 1.5 A ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-89
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ SS8050 SOT-23 H200-350 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ PBSS4240X (YJ)
 
SOT-89
 
 — — — —
A+ SS8050-HQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ 2SC3650 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ 2SC4672 SOT-89 180-390 (JSCJ)
 
SOT- 89-3L
 
 — — — —
A+ PXT8050 200-350 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ PXT8050 SOT-89-3L 200-350 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ 2SD2153 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ SS8050 200-350 (JSCJ)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ D882 SOT-223 160-320 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ D882 160-320 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ D882M Y160-320 (JSCJ)
 
TO-252-2L
 
 — — — —
A+ 2SC2883Y (SHIKUES)
 
SOT-89 — — — —
A+ 2SC2884Y (SHIKUES)
 
SOT-89
 
 — — — —
A+ 2SC4672R (SHIKUES)
 
— 340 шт — — — —
A+ 2SD1623 (SHIKUES)
 
SOT-89
 
 — — — —
A+ 2SD1766R (SHIKUES)
 
— — — — —
A+ 2SD1802T (SHIKUES)
 
TO252
 
 — — — —
A+ 2SD1899K (SHIKUES)
 
TO2522L
 
 — — — —
A+ 2SD2150R (SHIKUES)
 
SOT-89
 
 — — — —
A+ PXT8050A (SHIKUES)
 
SOT-89
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
2SC5053R NPN-Silicon General use Transistors 1W 、1.5A、25V 4 Applications：Can be used for switching and amplifying in various electrical and electronic circuit. 1 2 3 SOT-89 Maximum ratings Parameters Symbol Rating 25 Unit V Collector-emitter voltage (IB=0) VCEO Marking Collector-base voltage（IE=0） VCBO 40 V 2SC5053R=GD Emitter-base voltage（IC=0） VEBO 6 V IC 1.5 A Ptot 1 W Junction temperature Tjm 150 ℃ Storage temperature Tstg -55～150 ℃ Collector current Total dissipation * power(TA=25℃) * Device is mounted on a printed circuit board. Electrical characteristics（Unless otherwise specified，TA=25℃） Parameters Symbol Test condition Min. typ Max. Unit Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=2mA，IB=0 25 — — V Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=100µA，IE=0 40 — — V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100µA，IC=0 6 — — V Forward current transfer ratio hFE VCE=1V；IC=100mA 200 — 300 — Collector-base current ICBO VCB=35V，IE=0 — — 100 nA VCE（sat） IC=800mA，IB=80mA — — 0.5 V fT IC=50mA，VCE=10V， f=100MHz — 100 — MHz Collector-emitter saturation voltage Characteristic frequency REV.08 1 of 2 PDF
Документация на 2SC5053R 

Microsoft Word - H8050_2015_英文版doc.doc

Дата модификации: 24.06.2019

Размер: 386.6 Кб

2 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-40 (YJ)