YJL02N10A

SUNCOYJ
RoHS YJL02N10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 2A ＜280mohm ＜310mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CJA03N10 (JSCJ)
 
SOT893L
 
 — ± — — — — —
A+ JMSL10130AL-7 (JIEJIE)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ WM10N33M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ LN2294LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 ± — — — — — —
A+ LN2292LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 ± — — — — — —
A+ LN03N100TZHG (LRC)
 
SOT-223 ± — — — — — —
A+ LN01N200TZHG (LRC)
 
SOT-223 ± — — — — — —
A+ LN01N100TZHG (LRC)
 
SOT-223 ± — — — — — —
A+ NCE0103Y (NCE)
 
SOT233L
 
 ± — — — —
A+ NCE0103M (NCE)
 
SOT-89 30 шт ± — — — —
A+ JMGL3V10A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ WMT04N10TS (WAYON)
 
SOT2233L в ленте 3000 шт — — —
A+ YJL03G10A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ CJA03N10S (JSCJ)
 
SOT893L
 
 ± — — — — —
A+ CJ2324 SOT-23 (JSCJ)
 
—
 
 — —
A+ CJ2324 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — —
A+ YJS03N10A (YJ)
 
— 120 шт
 
 — —
A+ YJM04N10A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт — —
A+ YJJ03G10A (YJ)
 
— 34 шт
 
 — —
A+ YJH03N10A (YJ)
 
SOT-89 в ленте 100 шт — —
A+ NCE0102 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
A+ LN2296LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 ± — — — — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS YJL02N10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 2A ＜280mohm ＜310mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ Unit 2 Drain Current ID A TA=70℃ 1.6 Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation 8 A 1.3 W 0.8 W PD TA=70℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 96 ℃/ W Thermal Resistance Junction-to-Case B Junction and Storage Temperature Range RθJL 80 TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJL02N10A F2 1002. 3000 30000 120000 7“ reel 1/7 S-E023 Rev.3.2,28-Sep-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJL02N10A 

Дата модификации: 28.09.2022

Размер: 680.9 Кб

7 стр.

RoHS YJL02N10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% ▽VDS Tested 100V 2A ＜280mohm ＜310mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● MSL LEVEL1 SOT-23 Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 2 TA=25℃ Drain Current ID A 1.6 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation 8 A 1.3 W 0.8 W PD TA=70℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 96 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJL02N10A F2 1002. 3000 30000 120000 7“ reel 1/7 S-E023 Rev.3.0,25-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJL02N10A 

Microsoft Word - YJL02N10A Rev 3.0

Дата модификации: 24.09.2020

Размер: 1.33 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)