WMB02DN10T1

WAYON
WMB02DN10T1 100V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB02DN10T1 uses advanced power trench technology that has D1 D2 D1 D2 D2 been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S1 Features     S2 G1 D2 D1 D1 G2 G2 S2 S1 G1 PDFN5060-8L VDS= 100V, ID = 3.5A RDS(on) < 290mΩ @ VGS = 10V RDS(on) &l...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMT04N10TS (WAYON)
 
SOT2233L в ленте 2500 шт — — —
A+ IRFL4310TRPBF (JSMICRO)
 

IRFL4310TRPBF (INFIN) 		SOT-223 в ленте 1000 шт
 
 — — — — —
A+ YJH03N10A (YJ)
 
SOT-89 в ленте 100 шт — —
A+ LNB8380DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LN2292LT1G (LRC)
 
—
 
 ± — — — — — —
A+ LN01N200TZHG (LRC)
 
SOT-223 ± — — — — — —
A+ LN01N100TZHG (LRC)
 
— ± — — — — — —
A+ NCE0103Y (NCE)
 
SOT233L
 
 ± — — — —
A+ NCE0103M (NCE)
 
SOT-89 30 шт ± — — — —
A+ WM10N33M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ AO4486 (YOUTAI)
 
—
 
 — —
A+ IRLL110TRPBF (VBSEMI)
 
— в ленте 2500 шт — — —
A+ YJL03G10A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ YJJ03G10A (YJ)
 
— 34 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
WMB02DN10T1 100V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB02DN10T1 uses advanced power trench technology that has D1 D2 D1 D2 D2 been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S1 Features     S2 G1 D2 D1 D1 G2 G2 S2 S1 G1 PDFN5060-8L VDS= 100V, ID = 3.5A RDS(on) < 290mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 310mΩ @ VGS = 4.5V Low RDS(on) Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 compliant Applications   Power Management Switches DC/DC Converter Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C, unless otherwise noted) Parameter 1 2 3 4 S1 G1 S2 G2 Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V TC=25°C 3.5 ID Continuous Drain Current TC=100°C A 2.2 IDM 14 A EAS 3.2 mJ PD 6.94 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA 50 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC 18 °C/W Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.2.0, 2023 Doc:W0803685 1/7 PDF
Документация на WMB02DN10T1 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 28.02.2023

Размер: 598.7 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)