WM10N35M2

WM10N35M2 N-Channel MOSFET Features  VDS= 100V, ID = 3.5A RDS(on) < 100mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 120mΩ @ VGS = 4.5V  Low Gate Charge  Trench MOSFET Technology Mechanical Characteristics    SOT-23-3L SOT-23-3L Package Marking : Making Code RoHS Compliant Schematic & PIN Configuration D G D G S S Device symbol SOT-23-3L(Top View) Absolute Maximum Rating (Tamb=25°C un...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT233L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CJQ07N10 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
±
A+ JMTY11DN10A (JIEJIE)
 
SOT2233L 4000 шт
 
A+ NCE0106Z (NCE)
 
TO-92-3 1 шт
 
±
A+ TSM950N10CW RPG (TSC)
 
SOT-223 2500 шт
 
A+ AO4486 (YOUTAI)
 
 
A+ WMT07N10TS (WAYON)
 
SOT-223 2500 шт
A+ WMT05N12TS (WAYON)
 
SOT-223
A+ WMT05N10T1 (WAYON)
 
SOT-223 1 шт
A+ WMS06N10TS (WAYON)
 
 
A+ WMS04N10T1 (WAYON)
 
SOP8L
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.