WMB510N15HG2

WMB510N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB510N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET D D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state D s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching performance.. D DD G G ss PDFN5060-8L Feature...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB198N15HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMK340N20HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ JMSH1535AG (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ WMB340N20HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1600 шт
 
A+ WMO190N15HG4 (WAYON)
 
 
A+ WML340N20HG2 (WAYON)
 
 
A+ WMO28N15T2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMM340N20HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.