WMB198N15HG2

WMB198N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB198N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET D D D D D D DD technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device ss s G G is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060-8L Features ⚫ ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMO175N10HG4 (WAYON)
 
 
P= WMB190N15HG4 (WAYON)
 
 
P- CJAC70SN15 (JSCJ)
 
100 шт
 
±
P- WMO175N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- NCEP1545G (NCE)
 
 
±
P- NCEP0225G (NCE)
 
 
±
P- YJG60G15HJ (YJ)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
P- JMSH1535AG (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
P- CJQ10SN15S (JSCJ)
 
SOP-8 в ленте 4000 шт
 
A+ WMK340N20HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMM340N20HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.