WMB198N15HG2

WAYON
WMB198N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB198N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET D D D D D D DD technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device ss s G G is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060-8L Features ⚫ ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMB190N15HG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P= WMO175N10HG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- WMO175N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ WMM340N20HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — — —
A+ WMK340N20HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMB198N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB198N15HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET D D D D D D DD technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device ss s G G is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060-8L Features ⚫ VDS = 150V, ID = 47A(Silicon Limited) RDS(on) < 19.8mΩ @ VGS = 10V ⚫ Green Device Available ⚫ 100% EAS Guaranteed ⚫ Low Gate Charge ⚫ High Speed Power Switching RoHS D compliant G Applications S ⚫ Synchronous Rectification in SMPS ⚫ Hard Switching and High Speed Circuit ⚫ DC/DC Converter Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V 47 TC=25℃ Continuous Drain Current1(Silicon Limited) ID A 30.5 TC=100℃ Pulsed Drain Current2 IDM 129 A EAS 156.8 mJ IAS 28 A PD 97.6 W TJ , TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient1 RθJA 51 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case1 RθJC 1.28 °C/W Single Pulse Avalanche Energy3 Avalanche Current Total Power Dissipation4 TC=25℃ Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.1.0, 2019 Doc:W0803366 1 / 6 ss s PDF
Документация на WMB198N15HG2 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 28.06.2022

Размер: 556.8 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    27 февраля 2023
    новость

    MOSFET азиатских производителей

    Полевой транзистор или MOSFET – неотъемлемый компонент в любом электронном устройстве. Существует огромное количество полевых транзисторов в различных конфигурациях, предназначенных для самых разнообразных задач. При этом с известной степенью... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)