WMO12N80M3

WML12N80M3, WMN12N8 W 80M3, WM MM12N80M M3 WMO1 12N80M3, WMP12N8 80M3, WM MK12N80M M3 800V V 0.53Ω Super S Junction Power MOSFET T Descrip ption WMOSTM M3 M is Wayo on’s 3rd gen neration 800 0V super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance T TM and low ga ate charge performancce. WMOS M3 is suitable fo or applicattions wh...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WML80R260S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML80R480S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMK15N80M3 (WAYON)
 
TO-220-3 1 шт
 
A+ WMO13N80M3 (WAYON)
 
TO252 10 шт
 
A+ WMM80R350S (WAYON)
 
TO263 24 шт
 
A+ WMM80R260S (WAYON)
 
TO263 1 шт
 
A+ WMM13N80M3 (WAYON)
 
TO263 1 шт
 
A+ YJB17C80HJ (YJ)
 
12 шт
 
A+ WMJ90R260S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WML80R350S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMJ90R360S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WMJ80R350S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WMJ80R260S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WMJ25N80M3 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт
A+ WMJ15N80M3 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт
A+ WMO80R480S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMM25N80M3 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WML90R360S (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WML90R260S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMK25N80M3 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
WML12N80M3, WMN12N8 W 80M3, WM MM12N80M M3 WMO1 12N80M3, WMP12N8 80M3, WM MK12N80M M3 800V V 0.53Ω Super S Junction Power MOSFET T Descrip ption WMOSTM M3 M is Wayo on’s 3rd gen neration 800 0V super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance T TM and low ga ate charge performancce. WMOS M3 is suitable fo or applicattions which h require superior G D S TO-22 20F G D S G TO O-262 D D S S G G TO-26 63  VDS =8 850V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.53 3Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S TO-220 T power density and outstanding efficiency. Features D G S D TO O-251 TO-252 T R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage Continuous drain current 1) ( TC = 25 5°C ) WMN//WMM/WMO/W WMP/WMK Pulsed drain current Gate-source e voltage Avalanche energy, e single e pulse3) Unit VDSSS 800 V ID 12 A 7.2 A IDM M 36 A VGS G ±30 V ( TC = 100 0°C ) 2) WML EAS A 145 mJ 2) Avalanche energy, e repetitive EAR 0.21 mJ Avalanche current, c repetiitive2) IARR 2 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current 86 31 W 0.69 0.25 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 12 A IS,puulse 36 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WMN//WMM/WMO/W WMP/WMK WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 1.45 4 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.2.0, 201 19 Doc.W088 80012 1 / 13 PDF
Документация на серию WMx12N80M3 

Microsoft Word - WMx12N80M3 W0880012 V2.0

Дата модификации: 11.01.2022

Размер: 674.5 Кб

13 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.