WML18N06TS
WML18N06TS
60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WML18N06TS uses advanced power trench technology that has been
especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain
superior switching performance.
GD S
TO-220F
Features
VDS = 60V, ID = 18A
RDS(on) < 35mΩ @ VGS = 10V
RDS(on) < 45mΩ @ VGS = 4.5V
Green Device Available
100% EAS Guaranteed...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO220F
- Норма упаковки: 50 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO220F | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 24
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | YJD20N06A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | JMTK290N06A (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | CJAE35SN06 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAE28SN06 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | 20N06 (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  | ± |  |  |  | — | — | — | |
| A+ | FQD20N06 (YOUTAI) | TO-252-3 |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | CJAB25SN06 (JSCJ) | — | 100 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | CJQ18SN06 (JSCJ) | SO-8 SOIC8 |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | YJG30N06A (YJ) | — | 10 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | YJG20N06A (YJ) | — | 1 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.043ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | NCE6020AK (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | YJR20N06A (YJ) | TO251 | в линейках 4950 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | 30N06 (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | CJU20N06A (JSCJ) | TO2522L | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | 25N06 (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | STD30NF06L (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  | ± |  |  |  | — | — | — | |
| A+ | STD20NF06L (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | WMK25N06TS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMB26N06TS (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMQ30N06TS (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMQ20N06TS (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMO35N06T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMO25N06TS (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | 35N06 (YOUTAI) | TO252 |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WML18N06TS
WML18N06TS_W0803528_V2.0
Дата модификации: 20.11.2022
Размер: 990.2 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.