WMO03N80M3

WAYON
WML03N80M3, WMN03N8 W 80M3, WM MM03N80M M3 WMO0 03N80M3, WMP03N8 80M3, WM MK03N80M M3 800 0V 3.0Ω Super Junction J n Power MOSFE ET Descrip ption WMOSTM M3 M is Wayo on’s 3rd gen neration 800 0V super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance T TM and low ga ate charge performancce. WMOS M3 is suitable fo or applicattions w...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK07N100C2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WML06N80M3 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ 4NM80G-TN3-T (UTC)
 
— в ленте 10 шт — —
A+ WML05N80M3 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WMO90R1K5S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ WMK05N80M3 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WMO90R1K1S (WAYON)
 
TO252 в ленте 500 шт
 
 — — — — —
A+ WMO80R1K5S (WAYON)
 
TO252 10 шт — —
A+ WMO05N100C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ WML90R1K5S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WML90R1K1S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WML80R1K5S (WAYON)
 
— в линейках 50 шт — —
A+ WML80R1K0S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WML10N100C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WML07N100C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WMO05N80M3 (WAYON)
 
TO252 1 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WML03N80M3, WMN03N8 W 80M3, WM MM03N80M M3 WMO0 03N80M3, WMP03N8 80M3, WM MK03N80M M3 800 0V 3.0Ω Super Junction J n Power MOSFE ET Descrip ption WMOSTM M3 M is Wayo on’s 3rd gen neration 800 0V super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance T TM and low ga ate charge performancce. WMOS M3 is suitable fo or applicattions which h require superior G D S TO-22 20F G D S G TO O-262 D D S S G G TO-26 63  VDS =8 850V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =3.0Ω Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S TO-220 T power density and outstanding efficiency. Features D G S D TO O-251 TO-252 T R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage Continuous drain current 1) ( TC = 25 5°C ) WMN//WMM/WMO/W WMP/WMK Pulsed drain current Gate-source e voltage Avalanche energy, e single e pulse3) Unit VDSSS 800 V ID 3 A 1.8 A IDM M 9 A VGS G ±30 V ( TC = 100 0°C ) 2) WML EAS A 10 mJ 2) Avalanche energy, e repetitive EAR 0.04 mJ Avalanche current, c repetiitive2) IARR 0.5 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current 29 20 W 0.23 0.16 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 3 A IS,puulse 9 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WMN//WMM/WMO/W WMP/WMK WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 4.3 6 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.3.0, 201 19 Doc.W088 80021 1 / 13 PDF
Документация на серию WMx03N80M3 

Microsoft Word - WMx03N80M3 W0880021 V3.0

Дата модификации: 07.01.2020

Размер: 669.6 Кб

13 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)