WMO80R1K0S

WMM8 80R1K0S, WMN80R1 1K0S, WM MK80R1K0 0S WML8 80R1K0S, WMP80R1 1K0S, WM MO80R1K0 0S 800V 0.87Ω Super S Ju unction Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM S is Wayyon’s new generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low gate g charge e performan nce. WMOS S G D S is S G TO-22 20F suitable fo or a...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WML08N80M3 (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WMO90R1K1S (WAYON)
 
TO252 в ленте 500 шт
 
A+ WML12N100C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMJ90R500S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WMO90R500S (WAYON)
 
TO252 в коробках 1000 шт
 
A+ WML10N100C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMO80R480S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO80R720S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO12N80M3 (WAYON)
 
TO252 1 шт
 
A+ WMO11N80M3 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO10N80M3 (WAYON)
 
TO252 1 шт
 
A+ WMO08N80M3 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WML90R500S (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WML90R1K1S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML80R720S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML80R480S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML80R1K0S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMO90R830S (WAYON)
 
TO252
 

Файлы 1

показать свернуть
WMM8 80R1K0S, WMN80R1 1K0S, WM MK80R1K0 0S WML8 80R1K0S, WMP80R1 1K0S, WM MO80R1K0 0S 800V 0.87Ω Super S Ju unction Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM S is Wayyon’s new generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low gate g charge e performan nce. WMOS S G D S is S G TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior D S G TO O-262 D G TO-26 63 VDS =8 850V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.87 7Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e TO-220 T S S G  S D power density and outstanding efficiency. Features D D S TO O-251 G TO-252 T R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage WMx80R1K0S WML L80R1K0S Unit VDSSS 800 V ID 6 A 3.6 A IDM M 22 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 83 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 0.15 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 1.6 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current1) Diode pulse e current 2) 70 29 W 0.56 0.23 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 6 A IS,puulse 22 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WMx80R1K0S WML L80R1K0S Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 1.8 4.3 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.2.0, 2021 Doc.W08 880038 1 / 13 PDF
Документация на серию WMx80R1K0S 

Microsoft Word - WMx80R1K0S W0880038 V2.0

Дата модификации: 26.10.2022

Размер: 669.9 Кб

13 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.