WMO80R1K5S

WMM8 80R1K5S, WMN80R1 1K5S, WM MK80R1K5 5S WML8 80R1K5S, WMP80R1 1K5S, WM MO80R1K5 5S 800V 1.26Ω Super S Ju unction Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM S is Wayyon’s new generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low gate g charge e performan nce. WMOS S G D S is S G TO-22 20F suitable fo or a...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WML06N80M3 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMO90R1K5S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WML10N100C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML12N105C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMJ90R500S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WMO90R500S (WAYON)
 
TO252 в коробках 1000 шт
 
A+ WMO90R1K1S (WAYON)
 
TO252 в ленте 500 шт
 
A+ WML12N100C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML08N80M3 (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WMO80R720S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO10N80M3 (WAYON)
 
TO252 1 шт
 
A+ WMO08N80M3 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WML90R500S (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WML90R1K5S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML90R1K1S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML80R720S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML80R1K5S (WAYON)
 
в линейках 50 шт
A+ WML80R1K0S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML90R830S (WAYON)
 
TO220F
 

Файлы 1

показать свернуть
WMM8 80R1K5S, WMN80R1 1K5S, WM MK80R1K5 5S WML8 80R1K5S, WMP80R1 1K5S, WM MO80R1K5 5S 800V 1.26Ω Super S Ju unction Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM S is Wayyon’s new generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low gate g charge e performan nce. WMOS S G D S is S G TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior D S G TO O-262 D G TO-26 63 VDS =8 850V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =1.26 6Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e TO-220 T S S G  S D power density and outstanding efficiency. Features D D S TO O-251 G TO-252 T R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage WMx80R1K5S WML L80R1K5S Unit VDSSS 800 V ID 5 A 3 A IDM M 15 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 56 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 0.1 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 1.3 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current1) Diode pulse e current 2) 62 29 W 0.5 0.23 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 5 A IS,puulse 15 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WMx80R1K5S WML L80R1K5S Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 2 4.3 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.2.0, 2022 Doc.W08 880039 1 / 13 PDF
Документация на WMO80R1K5S 

Microsoft Word - WMx80R1K5S W0880039 V2.0

Дата модификации: 03.07.2023

Размер: 668.8 Кб

13 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.