WMR050N03LG4

WMR050N03LG4 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description Pin1 D G D S D WMR050N03LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET D D S D technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This D D D S G DFN2020-6L device is well suited for high efficiency fast switching applications...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN62X2
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMS032N04LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ AO4410 (YOUTAI)
 
в ленте 3000 шт
 
A+ TSM042N03CS RLG (TSC)
 
TS6P 2500 шт
 
A+ WMQ052N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ YJS18N03A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
A+ CRTE045N03L (CRMICRO)
 
SOP-8 в ленте 4000 шт
 
A+ IRF8736 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
A+ IRF7842 (EVVO)
 

IRF7842 (INFIN)
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
A+ NCE3018AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ±
A+ CJQ20N03 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.