WMQ052N03LG2
WMQ052N03LG2
30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMQ052N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET
D
D
D
D
D
D
D
D
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
S
S
G
G
resistance and yet maintain superior switching performance. This
S
device is well suited for high efficiency fast switching applications.
PDFN3030-8L
Feature...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L3X3
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | PDFN8L3X3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 25
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P= | WMQ050N03LG4 (WAYON) | PDFN8L3X3 | 3000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMQ040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | 1 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | YJQ50N03A (YJ) | DFN83X3 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | CJAC40N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC35N03S (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAB60N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | IPD060N03LG (YOUTAI) | — | 20 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | CJAB55N03S (JSCJ) | — |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | CJAB55N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAB50N03 (JSCJ) | — |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | CJAB35SN03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | WMQ050N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | |||
| A+ | YJG60N04A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJQ50N03B (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |||
| A+ | YJQ60N03A (YJ) | DFN30308 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJQ35N04A (YJ) | — | 20 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | ||
| A+ | YJG60G04HHQ (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 30 шт |  |  |  |  |  | — | — |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG50N03A (YJ) | PDFN8L5X6 |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | |||
| A+ | YJD60N04A (YJ) | TO252 | в ленте 5000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |  | — | |
| A+ | CRTE045N03L (CRMICRO) | SOP-8 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | WMB042DN03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMB040N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMQ40N03T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMQ30N03T2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | CJAC40SN03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMQ052N03LG2
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 02.09.2022
Размер: 648 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.