WMR07N06TS

WMR07N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D S D maintain superior switching performance. Features S D WMR07N06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet G D D D D S G DFN2020-6L  VDS = 60V, ID = 7A  RDS(on) < 33mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 42mΩ @ VGS = 4.5V  Gree...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN62X2
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJS4438A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 12000 шт
 
A+ LN7263DT3WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ WMS09N06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ LN2621DT2AG (LRC)
 
DFN20206S
 
±
A+ LN2604DT2AG (LRC)
 
DFN20206S
 
±
A+ LNB88078SDT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB8260DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LN8266DT1AG (LRC)
 
DFN30308B
 
±
A+ LN8260DT1AG (LRC)
 
DFN30308B
 
±
A+ LN7513DT3WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
A+ LN7266DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ NCE6012AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ NCE6008AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 1200 шт ±
A+ NCE6009AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ JMTP170N06A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
A+ CJQ12SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
±
A+ WMS098DN06LG2 (WAYON)
 
SOP8L 4000 шт
 
A+ YJS12G06D (YJ)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
A+ IRF7351 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
A+ CJQ14SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ±
A+ UTM6016G-SO8-R (UTC)
 
SOP-8
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.