WMR09N02T1
WMR09N02T1
20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMR09N02T1 uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
yet maintain superior switching performance.
DFN2020-6L
Features
⚫
VDS =20V, ID = 9A
RDS(on) < 22mΩ @ VGS = 4.5V
RDS(on) < 28mΩ @ VGS = 2.5V
⚫
Green Device Available
⚫
High Power and Current Han...
развернуть ▼ свернуть ▲ Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | DFN62X2 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность | ||
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
| Максимальное напряжение затвора | ||
| Особенности |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMR09N02T1
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 05.07.2022
Размер: 532.5 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.