WMR09N02T1

WMR09N02T1 20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMR09N02T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. DFN2020-6L Features ⚫ VDS =20V, ID = 9A RDS(on) < 22mΩ @ VGS = 4.5V RDS(on) < 28mΩ @ VGS = 2.5V ⚫ Green Device Available ⚫ High Power and Current Han...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN62X2
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.