YJD110G08A

RoHS COMPLIANT YJD110G08A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 80V 110A <6mΩ <7mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low R DS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Me...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJU60SN08 (JSCJ)
 
TO2522L 1 шт
 
±
P- CJU30N10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
P- WMO099N10HGS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- WMO80N08TS (WAYON)
 
TO252 2500 шт
 
P- NCE7560K (NCE)
 
TO252
 
±
P- NCE8295A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
P- IRFR3607 (EVVO)
 
TO252 2500 шт
 
P- IRFR2407 (EVVO)
 

IRFR2407 (INFIN)
TO252 2500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на YJD110G08A 

Дата модификации: 23.01.2024

Размер: 708.3 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    23 мая 2023
    новость

    Новинка от SUNCO – N-канальные полевые SGT-транзисторы N80V–N85V

    Один из ведущих китайских производителей силовых дискретных полупроводниковых компонентов компания SUNCO предлагает новые N–канальные полевые транзисторы. Серии N80V–N85V на рабочие напряжения 80…85 В выполнены по технологии SGT (Split... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.