YJD110G08A
RoHS
COMPLIANT
YJD110G08A
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=10V)
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)
● 100% EAS Tested
● 100% ▽VDS Tested
80V
110A
<6mΩ
<7mΩ
General Description
● Split gate trench MOSFET technology
● Excellent package for heat dissipation
● High density cell design for low R DS(ON)
● Moisture Sensitivity Level 1
● Epoxy Me...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO252
- Норма упаковки: 2500 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO252 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 8
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | CJU60SN08 (JSCJ) | TO2522L | 1 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
P- | CJU30N10 (JSCJ) | TO2522L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
P- | WMO099N10HGS (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | WMO80N08TS (WAYON) | TO252 | 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | NCE7560K (NCE) | TO252 | ± | — | — | — | — | ||||||||||
P- | NCE8295A (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
P- | IRFR3607 (EVVO) | TO252 | 2500 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
P- | IRFR2407 (EVVO) IRFR2407 (INFIN) | TO252 | 2500 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьПубликации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.