YJD110G08A

SUNCO
RoHS COMPLIANT YJD110G08A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 80V 110A ＜6mΩ ＜7mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low R DS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Me...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJU60SN08 (JSCJ)
 
TO2522L 1 шт
 
 ± — — — — —
P- CJU30N10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
P- WMO099N10HGS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
P- WMO80N08TS (WAYON)
 
TO252 2500 шт
 
 — — —
P- NCE7560K (NCE)
 
TO252
 
 ± — — — —
P- NCE8295A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —
P- IRFR3607 (EVVO)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRFR2407 (EVVO)
 

IRFR2407 (INFIN) 		TO252 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS COMPLIANT YJD110G08A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 80V 110A ＜6mΩ ＜7mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low R DS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power switching application ● Uninterruptible power supply ● DC-DC convertor ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 80 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 13 TA=25℃ TA=100℃ 8 Drain Current ID A TC=25℃ 110 TC =100℃ 69 Pulsed Drain Current A Avalanche energy Unit B IDM 400 A EAS 361 mJ 2.5 TA=25℃ 1 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 83 TC =100℃ 33 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■ Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Thermal Resistance Junction-to-Case Symbol Typ Max Steady-State RθJA 40 50 Steady-State RθJC 1.25 1.5 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD110G08A F1/F2 YJD110G08A 2500 / 25000 13“ reel 1/8 S-E203 Rev.1.0,09-Mar-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD110G08A 

Дата модификации: 23.01.2024

Размер: 708.3 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    23 мая 2023
    новость

    Новинка от SUNCO – N-канальные полевые SGT-транзисторы N80V–N85V

    Один из ведущих китайских производителей силовых дискретных полупроводниковых компонентов компания SUNCO предлагает новые N–канальные полевые транзисторы. Серии N80V–N85V на рабочие напряжения 80…85 В выполнены по технологии SGT (Split... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)