NCE7560K

NCE7560K http://www.ncepower.com Pb-Free Product NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description Product Summary The NCE7560K uses advanced trench technology and BVDSS typ. 84 V design to provide excellent RDS(ON) with low gate RDS(ON) typ. 6.8 mΩ max. 8.5 mΩ 60 A charge. It can be used in a wide variety of applications. ID Features ● VDS=75V;ID=60A@ VGS=10V...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 26

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMO80N08TS (WAYON)
 
TO252 2500 шт
 
P- CJU30N10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ NCE8295A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
A+ JMSH1008AE (JIEJIE)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ JMTC170N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ NCE0157A2 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
A+ IRF3710Z (EVVO)
 

IRF3710Z (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
A+ NCE8295AD (NCE)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
±
A+ NCEP065N10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
A+ YJG120G10AR (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ IRFB4410Z (EVVO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ YJN60G10B (YJ)
 
TO-247-3 в линейках 20 шт
A+ IRLR3110ZTR (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ IRL540N (YOUTAI)
 

IRL540N (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK099N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK060N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB060N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB060N08LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB053NV8HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1000 шт
 
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1000 шт
 
A+ WMQ060N08LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMO099N10HGS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMM80N08TS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ YJP70G10B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB080N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ IRFS3607L (EVVO)
 
TO263 в ленте 800 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
NCE7560K http://www.ncepower.com Pb-Free Product NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Description Product Summary The NCE7560K uses advanced trench technology and BVDSS typ. 84 V design to provide excellent RDS(ON) with low gate RDS(ON) typ. 6.8 mΩ max. 8.5 mΩ 60 A charge. It can be used in a wide variety of applications. ID Features ● VDS=75V;ID=60A@ VGS=10V; 100% UIS TESTED! RDS(ON)<8.5mΩ @ VGS=10V ● Special process technology for high ESD capability ● Special designed for Convertors and power controls ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized Avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation Application ● Power switching application ● Hard Switched and High Frequency Circuits ● Uninterruptible Power Supply TO-252-2L top view Schematic diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE7560K NCE7560K TO-252-2L - - - Table 1. Absolute Maximum Ratings (TC=25℃) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage (VGS=0V) VDS 75 V Gate-Source Voltage (VDS=0V) VGS ±20 V Drain Current (DC) at Tc=25℃ ID (DC) 60 A ID (DC) 42 A IDM (pluse) 310 A dv/dt 30 V/ns PD 140 W 0.95 W/℃ EAS 300 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ Drain Current (DC) at Tc=100℃ Drain Current-Continuous@ Current-Pulsed (Note 1) Peak diode recovery voltage Maximum Power Dissipation(Tc=25℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 2) Operating Junction and Storage Temperature Range Notes 1.Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature 2.EAS condition:Tj=25℃,VDD=37.5V,VG=10V,L=0.5mH Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd Page 1 v1.1 PDF
Документация на NCE7560K 

Author: Lenovo User

Дата модификации: 01.12.2015

Размер: 478.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.