NCE8295A

NCE8295A http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE8295A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. General Features Schematic diagram ● VDS =82V,ID =95A RDS(ON) < 7.0 mΩ @ VGS=10V (Typ:6mΩ) ● High densi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 27

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMK053NV8HGS (WAYON)
 
TO-220-3 12 шт
 
P- CJP120N10 (JSCJ)
 
TO-220-3 10 шт
 
P- JMSH0804NC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
P- YJP120G08A (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- WMK80N08TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ YJB180G10B (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ YJG120G10AR (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ WMB129N10T2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB128N10T2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB060N10LGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB043N10LGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMO053NV8HGS (WAYON)
 
TO252
 
A+ WMM053NV8HGS (WAYON)
 
TO263
 
A+ YJB110G10B (YJ)
 
TO263 800 шт
 
A+ YJG90G10B (YJ)
 
 
A+ WMK060N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ YJG110G10B (YJ)
 
 
A+ YJG90G10A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
A+ WMK043N10LGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK043N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB060N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB053NV8HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1000 шт
 
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1000 шт
 
A+ WMM060N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMM043N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMM043N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMK060N10LGS (WAYON)
 
TO-220-3
 

Файлы 1

показать свернуть
NCE8295A http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE8295A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in PWM, load switching and general purpose applications. General Features Schematic diagram ● VDS =82V,ID =95A RDS(ON) < 7.0 mΩ @ VGS=10V (Typ:6mΩ) ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Special designed for convertors and power controls ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation ● Special process technology for high ESD capability Marking and pin assignment Application ● Power switching application ● Hard switched and High frequency circuits ● Uninterruptible power supply 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! TO-220-3L top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE8295A NCE8295A TO-220-3L - - - Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 82 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 95 A ID (100℃) 67 A Pulsed Drain Current IDM 320 A Maximum Power Dissipation PD 170 W 1.13 W/℃ EAS 529 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V5.0 PDF
Документация на NCE8295A 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 31.10.2022

Размер: 705.4 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.