YJD65G10B

RoHS YJD65G10B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 65A <9.5mohm General Description ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Fast switching and soft recovery ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammabi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ CRTT088N10N (CRMICRO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK060N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB043N10LGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMO119N12LG4 (WAYON)
 
 
A+ WMO099N10LGS (WAYON)
 
TO252 1 шт
 
A+ WMO080N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMM053N10HGS (WAYON)
 
TO263 800 шт
 
A+ YJP70G10B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ YJN60G10B (YJ)
 
TO-247-3 в линейках 20 шт
A+ YJG120G10AR (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMB080N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ IRFB4110 (EVVO)
 

IRFB4110 (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ IRFB4410Z (EVVO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ IRF3710Z (EVVO)
 

IRF3710Z (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
A+ NCEP065N10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
A+ JMTC170N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ JMSH1008AE (JIEJIE)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ IRLR3110ZTR (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO099N10HGS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMM060N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMK099N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMB060N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD65G10B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 65A <9.5mohm General Description ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Fast switching and soft recovery ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Consumer electronic power supply ● Motor control ● Synchronous-rectification ● Isolated DC/DC convertor ● Invertors ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 11 TA=25℃ 7 TA=100℃ Drain Current ID A TC=25℃ 65 TC=100℃ 41 Pulsed Drain Current A IDM 260 A Avalanche energy B EAS 182 mJ 2.2 TA=25℃ 0.9 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W Tc=25℃ 96 Tc=100℃ 38.4 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55~+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 15 20 45 55 1.0 1.3 RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD65G10B F1 YJD65G10B 2500 / 25000 13”Reel 1/6 S-E144 Rev.1.1,20-Oct-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD65G10B 

Дата модификации: 21.10.2022

Размер: 791.2 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.