YJG150N03A

SUNCO
RoHS YJG150N03A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 30 V 150 A ＜2.0 mohm ＜3.3 mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJP180G04C (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ JMGG020V04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0403BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0402BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A+ TSM025NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —
A+ TSM025NB04LCR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —
A+ TSM018NB03CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — — —
A+ TQM025NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —
A+ CJP180N03 (JSCJ)
 
TO2203L
 
 ± — — — — —
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC150N03A (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC150N03 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC140SN04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ YJD180N03A (YJ)
 
TO252 2500 шт — —
A+ YJG200G04AR (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG150N03A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 30 V 150 A ＜2.0 mohm ＜3.3 mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ● Backlighting ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 30 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 30 TA=25℃ 19 TA=100℃ Drain Current ID A TC=25℃ 150 TC=100℃ 95 Pulsed Drain Current A IDM 400 A 2.7 TA=25℃ 1 TA=100℃ Total Power Dissipation B PD W 69 TC=25℃ 27.6 TC =100℃ Single Pulse Avalanche Energy D EAS 400 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case RθJC 1.8 ℃/ W Thermal Resistance Junction-to-Ambient C RθJA 46.5 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG150N03A F1 YJG150N03A 5000 10000 100000 13“ reel 1/7 S-E044 Rev.3.4,10-Nov-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG150N03A 

Дата модификации: 10.11.2022

Размер: 607.6 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)