YJG150N03A

Yangjie
RoHS YJG150N03A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 30 V 150 A ＜2.0 mohm ＜3.3 mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJP180G04C (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ JMSL0302AU-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A+ CJAC140SN04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ JMSL0401BG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0401BG (JIEJIE)
 
—
 
 — — — —
A+ JMSL0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0401AG (JIEJIE)
 
—
 
 — — — —
A+ JMSL0303AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0303AG (JIEJIE)
 
—
 
 — — — —
A+ JMSL0302AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ TQM025NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —
A+ TSM025NB04LCR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —
A+ TSM025NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —
A+ TSM018NB03CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — — —
A+ CJP180N03 (JSCJ)
 
TO2203L
 
 ± — — — — —
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC150N03A (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC150N03 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ JMSL0401BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG150N03A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 30 V 150 A ＜2.0 mohm ＜3.3 mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ● Backlighting ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 30 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 30 TA=25℃ 19 TA=100℃ Drain Current ID A TC=25℃ 150 TC=100℃ 95 Pulsed Drain Current A IDM 400 A 2.7 TA=25℃ 1 TA=100℃ Total Power Dissipation B PD W 69 TC=25℃ 27.6 TC =100℃ Single Pulse Avalanche Energy D EAS 400 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case RθJC 1.8 ℃/ W Thermal Resistance Junction-to-Ambient C RθJA 46.5 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG150N03A F1 YJG150N03A 5000 10000 100000 13“ reel 1/7 S-E044 Rev.3.4,10-Nov-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG150N03A 

Дата модификации: 10.11.2022

Размер: 607.6 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)