YJJ05N06A

Yangjie
RoHS YJJ05N06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 60V 5.0A ＜ 43mohm ＜ 47mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) Applications ● PWM application ● Load switch ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Paramet...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMS09N06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
A+ JMTP170N06A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — — —
A+ TSM4436CS RLG (TSC)
 
TS6P 2500 шт
 
 — —
A+ WMR140NV6LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ YJS4438A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — —
A+ IRF7478 (EVVO)
 

IRF7478 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ IRF7351 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт — — — — —
A+ NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJJ05N06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 60V 5.0A ＜ 43mohm ＜ 47mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) Applications ● PWM application ● Load switch ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current 5.0 ID TA=70℃ @ Steady State Unit A 4.0 Pulsed Drain Current A IDM 20 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 1.25 W RθJA 100 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJJ05N06A F2 0605 3000 30000 120000 7“ reel 1/7 S-E666 Rev.1.1,25-Nov-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJJ05N06AF2 

Microsoft Word - YJJ05N06A

Дата модификации: 25.11.2020

Размер: 1.12 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)