YJQ47N02A

SUNCOYJ
RoHS YJQ47N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) 20 V 47 A ＜6 mohm ＜8 mohm ＜14 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converters ● Powe...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD60N02A (YJ)
 
TO252 20 шт —
A+ YJD90N02A (YJ)
 
— Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 20V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 —
A+ CJU55N02 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ JMTK2006A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — —
A+ NCE2060K (NCE)
 
TO252
 
 ± — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJQ47N02A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) 20 V 47 A ＜6 mohm ＜8 mohm ＜14 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V TA=25℃ Drain Current Pulsed Drain Current A Total Power Dissipation 47 ID TA=70℃ A 38 IDM 188 A PD 21 W RθJC 5.9 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ TC=25℃ Thermal Resistance Junction-to-Case Junction and Storage Temperature Range Unit ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJQ47N02A F1 Q47N02A 5000 10000 100000 13“ reel 1/7 S-E673 Rev.1.0,07-Dec-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJQ47N02AF1 

Microsoft Word - YJQ47N02A Rev1.0

Дата модификации: 11.12.2020

Размер: 1.2 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)