YJR20N06A
RoHS
YJR20N06A
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS= 10V)
● RDS(ON)( at VGS= 4.5V)
● 100% EAS Tested
● 100% ▽VDS Tested
60V
20A
＜43mohm
＜47mohm
General Description
● Trench Power MV MOSFET technology
● Excellent package for heat dissipation
● High density cell design for low RDS(ON)
● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability ...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO251
- Норма упаковки: 4950 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO251 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Ёмкость затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 15
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | FQD20N06 (YOUTAI) | TO-252-3 |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | WMQ30N06TS (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | JMTK330N06A (JIEJIE) | TO252 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMTG170N06A (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSL0609AU-13 (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | STD30NF06L (YOUTAI) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  | ± |  |  |  | — | — | — | |
| A+ | WMO35N06T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | AOD442 (YOUTAI) | TO-252-3 |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | 35N06 (YOUTAI) | TO252 |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | CJAE28SN06 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | STD35NF06L (YOUTAI) | — | 1 шт |  |  |  | — |  | ± |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | CJAB25SN06 (JSCJ) | — | 100 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG30N06A (YJ) | — | 10 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | NCE6020AK (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | JMTK290N06A (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJR20N06A
Microsoft Word - YJR20N06A Rev3.2
Дата модификации: 01.04.2022
Размер: 429.1 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.