CJAE35SN06

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB3×3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS N-Channel Power MOSFET CJAE35SN06 RDS(on)TYP V(BR)DSS 7.5mΩ@10V 60 V 10.5mΩ@4.5V DFNWB3×3-8L ID 35A DESCRIPTION The CJAE35SN06 uses SGT technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. FEATURES  High density cell design f...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJAB10N03

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJQ45G06A (YJ)
 
DFN30308 в ленте 1600 шт
 
 — — — — —
P- NCEP6050AQU (NCE)
 
DFN83X3 в ленте 40 шт
 
 ± — — —
P- WMQ098N06LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P- WMQ060N06LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMQ060N08LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ CJU60SN08 (JSCJ)
 
TO2522L 1 шт
 
 ± — — — — —
A+ TSM089N08LCR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —
A+ AOD2610E (YOUTAI)
 
— — —
A+ CJU68N06 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ WMQ090NV6LG4 (WAYON)
 
— 1 шт
 
 — — — — —
A+ WMQ048NV6HG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ YJQ70G06A (YJ)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
 — — —
A+ YJP65N06A (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ YJG60G06A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — — —
A+ YJD60N06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ JMTK110N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB3×3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS N-Channel Power MOSFET CJAE35SN06 RDS(on)TYP V(BR)DSS 7.5mΩ@10V 60 V 10.5mΩ@4.5V DFNWB3×3-8L ID 35A DESCRIPTION The CJAE35SN06 uses SGT technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. FEATURES  High density cell design for ultra low RDS(ON)  Excellent package for good heat dissipation  Fully characterized avalanche voltage and  Special process technology for high ESD current  capability Good stability and uniformity with high EAS APPLICATIONS  Battery and loading switching MARKING 35SN06 XX EQUIVALENT CIRCUIT  35SN06= Part No. '  '  '  ' Solid dot=Pin1 indicator. XX=Code.   6 PIN 1  6  6 * MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage Parameter VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current ID 35 A Pulsed Drain Current IDM ② 140 A Single Pulsed Avalanche Energy EAS ③ 39 mJ PD ① Power Dissipation Thermal Resistance from Junction to Ambient Thermal Resistance from Junction to Case 35 W RθJA ⑥ 83.3 ℃/W RθJC ① 3.5 ℃/W TJ ,Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com ① 1 -55~+150 ℃ Rev. - 1.3 PDF
Документация на CJAE35SN06 

Дата модификации: 28.04.2021

Размер: 3.95 Мб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    25 апреля 2023
    новость

    Полупроводниковые компоненты JSCJ для беспроводных зарядных устройств технологии Power Delivery

    Компания Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из главных производителей полупроводниковых компонентов в Китае. Для удобного построения функциональных узлов беспроводных зарядных устройств (рисунок 1), таких как управление входом... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)