YJS03N10A

Yangjie
RoHS YJS03N10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 100V 3.0A ＜120mohm ＜140mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Ra...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMS04N10T1 (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
A+ WMT05N10T1 (WAYON)
 
SOT-223 1 шт — — — — — —
A+ YJM04N10A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт — —
A+ YJH03N10A (YJ)
 
SOT-89 в ленте 100 шт — —
A+ LN03N100TZHG (LRC)
 
SOT-223 ± — — — — — —
A+ LNB8380DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LN8390DT1AG (LRC)
 
DFN30308B
 
 ± — — — — — —
A+ LN2690TZHG (LRC)
 
SOT-89 ± — — — — — —
A+ WMS06N10TS (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ AO4486 (YOUTAI)
 
—
 
 — —
A+ WMT05N12TS (WAYON)
 
SOT-223 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS03N10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 100V 3.0A ＜120mohm ＜140mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ Drain Current 3 ID TA=70℃ Unit A 2.4 Pulsed Drain Current A IDM 12 A Single Pulse Avalanche Energy EAS 8 mJ Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 1.5 W Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 83 ℃/ W Thermal Resistance From Junction To Lead RthJL 36 ℃/W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS03N10A F2 1003 3000 30000 120000 7" 1/7 S-E636 Rev.3.1,13-Jan-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS03N10A 

Дата модификации: 29.01.2023

Размер: 745 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)