8205A

UMW
UMW R UMW 8205A Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET APPLIACTION ·Portable Equipment ·Battery Powered System FEATURES ·20V 5A N-channel Trench Mosfet ·RDSON≤27mΩ @Vgs=4.5V, Id=5A ·RDSON≤36mΩ @Vgs=2.5V, Id=3A ·Low gate Charge ·Fast switching capability ·High reliability and rugged SYMBOL ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDSS 20 V Gate-Sour...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJS8205B (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ LDN2367T1G (LRC)
 
SOT26
 
 ± — — — — — —
A+ LDN2012DT2AG (LRC)
 
DFN2030
 
 ± — — — — —
A+ CJS8810 (JSCJ)
 
TSSOP-8 10 шт ± — — — — —
A+ CJS8804 (JSCJ)
 
TSSOP-8 ± — — — — —
A+ CJS2019 (JSCJ)
 
TSSOP-8
 
 ± — — — — —
A+ CJQ9926 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —
A+ CJL8820 (JSCJ)
 
SOT236L
 
 ± — — — — —
A+ CJL8810 (JSCJ)
 
SOT236L ± — — — — —
A+ CJL2019 (JSCJ)
 
SOT236L 50 шт
 
 ± — — — — —
A+ CJL2016 (JSCJ)
 
SOT236L 60 шт
 
 ± — — — — —
A+ CJL2013 (JSCJ)
 
SOT236L ± — — — — —
A+ CJCD2007 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJCD2005 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJCD2004 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ LDN8205FT1G (LRC)
 
SOT26
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW R UMW 8205A Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET APPLIACTION ·Portable Equipment ·Battery Powered System FEATURES ·20V 5A N-channel Trench Mosfet ·RDSON≤27mΩ @Vgs=4.5V, Id=5A ·RDSON≤36mΩ @Vgs=2.5V, Id=3A ·Low gate Charge ·Fast switching capability ·High reliability and rugged SYMBOL ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDSS 20 V Gate-Source Voltage VGSS ±12 V Continuous ID 5 A Pulsed IDM 20 A Drain Current(Note1) TA=25°C Power Dissipation (TA=25°C) (Note 2) TA=100°C Thermal Resistance-Junction to Ambient Maximum Junction Temperature Storage Temperature Range 0.83 PD 0.3 W RθJA 150 °C/W TJ 150 °C TSTG -55 to 150 °C Note: 1. Pulse Test: Pulse width≤300μs, Duty cycle≤2% 2. Pulse width limited by TJ(MAX) ELECTRICAL CHARACTERISTICS（TJ=25℃,unless otherwise Noted） Parameter Symbol Test Condition Min. Typ. Max. Unit BVDSS VGS=0V, ID=250µA 20 Drain-Source Leakage Current IDSS VDS=20V, VGS=0V 1 uA Gate-Source Leakage Current IGSS VGS=±8V ±100 nA Gate Threshold Voltage VGS(TH) VDS=VGS, ID=250µA 1.2 V Drain-Source On-State Resistance RDS(ON) OFF CHARACTERISTICS Drain-Source Breakdown Voltage V ON CHARACTERISTICS www.umw-ic.com 0.5 VGS=4.5V, ID=5.0A 22 27 mΩ VGS=2.5V, ID=3A 28 36 mΩ 1 友台半导体有限公司 PDF
Документация на UMW8205A 

Subject:

Дата модификации: 12.04.2019

Размер: 695.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)