8205A

UMW
UMW R UMW 8205A Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET APPLIACTION ·Portable Equipment ·Battery Powered System FEATURES ·20V 5A N-channel Trench Mosfet ·RDSON≤27mΩ @Vgs=4.5V, Id=5A ·RDSON≤36mΩ @Vgs=2.5V, Id=3A ·Low gate Charge ·Fast switching capability ·High reliability and rugged SYMBOL ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDSS 20 V Gate-Sour...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CJL8810 (JSCJ)
 
SOT236L ± — — — — —
A+ CJQ9926 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —
A+ CJS8820 (JSCJ)
 
TSSOP-8 10 шт ± — — — — —
A+ CJS8804 (JSCJ)
 
TSSOP-8 ± — — — — —
A+ CJS2019 (JSCJ)
 
TSSOP-8
 
 ± — — — — —
A+ CJS2013 (JSCJ)
 
TSSOP-8 ± — — — — —
A+ CJND2004 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJS9004 (JSCJ)
 
TSSOP-8
 
 ± — — — — —
A+ CJS8810 (JSCJ)
 
TSSOP-8 10 шт ± — — — — —
A+ CJL8820 (JSCJ)
 
SOT236L
 
 ± — — — — —
A+ CJL2019 (JSCJ)
 
SOT236L 50 шт
 
 ± — — — — —
A+ CJL2016 (JSCJ)
 
SOT236L 60 шт
 
 ± — — — — —
A+ CJL2013 (JSCJ)
 
SOT236L ± — — — — —
A+ CJCD2007 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJCD2005 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJCD2004 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJBE5005 (JSCJ)
 
— ± — — — — —
A+ CJ4506SP (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW R UMW 8205A Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET APPLIACTION ·Portable Equipment ·Battery Powered System FEATURES ·20V 5A N-channel Trench Mosfet ·RDSON≤27mΩ @Vgs=4.5V, Id=5A ·RDSON≤36mΩ @Vgs=2.5V, Id=3A ·Low gate Charge ·Fast switching capability ·High reliability and rugged SYMBOL ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDSS 20 V Gate-Source Voltage VGSS ±12 V Continuous ID 5 A Pulsed IDM 20 A Drain Current(Note1) TA=25°C Power Dissipation (TA=25°C) (Note 2) TA=100°C Thermal Resistance-Junction to Ambient Maximum Junction Temperature Storage Temperature Range 0.83 PD 0.3 W RθJA 150 °C/W TJ 150 °C TSTG -55 to 150 °C Note: 1. Pulse Test: Pulse width≤300μs, Duty cycle≤2% 2. Pulse width limited by TJ(MAX) ELECTRICAL CHARACTERISTICS（TJ=25℃,unless otherwise Noted） Parameter Symbol Test Condition Min. Typ. Max. Unit BVDSS VGS=0V, ID=250µA 20 Drain-Source Leakage Current IDSS VDS=20V, VGS=0V 1 uA Gate-Source Leakage Current IGSS VGS=±8V ±100 nA Gate Threshold Voltage VGS(TH) VDS=VGS, ID=250µA 1.2 V Drain-Source On-State Resistance RDS(ON) OFF CHARACTERISTICS Drain-Source Breakdown Voltage V ON CHARACTERISTICS www.umw-ic.com 0.5 VGS=4.5V, ID=5.0A 22 27 mΩ VGS=2.5V, ID=3A 28 36 mΩ 1 友台半导体有限公司 PDF
Документация на UMW8205A 

Subject:

Дата модификации: 12.04.2019

Размер: 695.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)