CJL2016

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJL2016 Dual N-Channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)TYP SOT-23-6L 15.7 mΩ@4.5V 16.4 mΩ@3.8V 20 V 6A 20 mΩ@2.5V FEATURE z TrenchFET Power MOSFET z Excellent RDS(on) z Low Gate Charge z High Power and Current Handing Capability z Surface Mount Package APPLICATION z Battery Protection z Load Switch z P...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJL2013

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT236L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJS8205B (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ CJCD2004 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ LDN2012DT2AG (LRC)
 
DFN2030
 
 ± — — — — —
A+ CJS8810 (JSCJ)
 
TSSOP-8 10 шт ± — — — — —
A+ CJS8804 (JSCJ)
 
TSSOP-8 ± — — — — —
A+ CJL8810 (JSCJ)
 
SOT236L ± — — — — —
A+ CJL2013 (JSCJ)
 
SOT236L ± — — — — —
A+ CJCD2007 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJCD2005 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ LDN8205FT1G (LRC)
 
SOT26
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJL2016 Dual N-Channel MOSFET V(BR)DSS ID RDS(on)TYP SOT-23-6L 15.7 mΩ@4.5V 16.4 mΩ@3.8V 20 V 6A 20 mΩ@2.5V FEATURE z TrenchFET Power MOSFET z Excellent RDS(on) z Low Gate Charge z High Power and Current Handing Capability z Surface Mount Package APPLICATION z Battery Protection z Load Switch z Power Management Equivalent Circuit MARKING G1 D1,D2 6 L2016 XX G2 5 4 2 3 L2016=Device code Solid point=Pin1 positioning point XX=Date Code 1 S1 D1,D2 S2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS ±10 V Continuous Drain Current ID 6 A Pulsed Drain Current (note 1) IDM 25 A Power Dissipation (note 2) PD 1.5 W ℃/W Thermal Resistance from Junction to Ambient (note 2) RθJA 83.3 Operation Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55~+150 ℃ TL 260 ℃ Lead Temperature for Soldering Purposes(1/8’’ from case for 10 s) www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на CJL2016 

Author: Administrator

Дата модификации: 08.04.2021

Размер: 3.12 Мб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    05 мая 2023
    новость

    Сборки MOSFET-транзисторов JSCJ для схемы защиты литий-ионных аккумуляторов

    Развитие рынка литиевых источников питания требует реакции и от рынка полупроводниковых компонентов, предназначенных для модулей зарядки, контроля и защиты аккумуляторов. На рисунке 1 показана типовая схема защиты от перенапряжения, перегрузки,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)