Новые MOSFET N100V производства SuncoYJ для высокомощных устройств

8 февраля
Компания SuncoYJ объявила о выпуске новых МОП-транзисторов (MOSFET), выполненных по технологии SGT, которая позволяет уменьшить сопротивление открытого канала и расширить область безопасной работы (SOA), одновременно снизив входную емкость. Транзи...
управление питаниемуправление двигателемSUNCOYJновостьдискретные полупроводникиMOSFETSGT (Split Gate Trench)TO-247

SUNCOYJ представляет новую серию IGBT 650 В, 50 А с интегрированным диодом

23 января
Известный китайский разработчик и производитель полупроводниковых компонентов компания SUNCOYJ объявила о выпуске семейства транзисторов (IGBT) для высокоэффективных преобразователей, используемых в возобновляемых источниках и хранилищах энергии. ...
управление питаниемSUNCOYJновостьдискретные полупроводникиIGBTHybrid IGBTTO-247trench

Новые IGBT SUNCOYJ для солнечных батарей и накопителей энергии

21 сентября 2023
Компания SUNCOYJ выпустила три новых продукта (таблица 1): IGBT в корпусах TO-247 и TO-247 Plus с интегрированным диодом. Транзисторы предназначены для работы в высокочастотных приложениях, таких как зарядные устройства, накопители энергии, солнеч...
учёт ресурсовуправление питаниемавтоматизацияответственные примененияSUNCOYJновостьIGBTTO-247высокочастотное применение

Новый высоковольтный SiC MOSFET YJD212040NCхG1 от SUNCOYJ для высокочастотных применений большой мощности

29 июня 2023
С 2021 года рынок инверторов для солнечных панелей начал стремительно развиваться, что вызвало спрос на силовые компоненты SiC, применяемые в качестве ключевых элементов преобразователей энергии. Благодаря высокочастотным характеристикам полупрово...
автомобильная электроникауправление питаниемуправление двигателемSUNCOYJновостьдискретные полупроводникиSiC MOSFETзарядное устройство для электромобиляTO-247