Компания MEAN WELL разработала ряд универсальных DC/DC-преобразователей с гипершироким входом, перекрывающим диапазон 12:1 (14…160 В DC), которые предназначены для железнодорожного применения. Они способны работать в сетях с номинальным знач...
Кремниевые транзисторы MOSFET продолжают оставаться основой силовой электроники. Причины – хорошо отработанная технология, низкая цена, простота схем управления. Для того, чтобы повысить максимально допустимое напряжение между стоком и истоком, пр...
Инфракрасные фототранзисторы и фотодиоды производства китайской компании Foryard доступны для со склада КОМПЭЛ. Эти дискретные компоненты могут выступать в качестве датчиков ИК-излучения в широком спектре устройств промышленной автоматики, а также...
Игорь Елисеев (г. Химки)
Светодиодные драйверы для промышленных решений должны обладать определенным наборов характеристик, например, иметь высокий класс защиты от внешних воздействующих факторов, хорошую устойчивость к импульсным помехам и облада...
КОМПЭЛ начал сотрудничество с компанией Ningbo KEPO Electronics Co. Ltd. (KEPO), основанной в феврале 1996 года. Она считается «маленьким гигантом» национального уровня и специализируется на исследованиях и разработках, производстве, продаже и обс...
Сергей и Алексей Поповы (г. Воронеж)
Система-на-кристалле класса «analog-front-end» SD6500 производства китайской компании SDIC Microelectronics – идеальная по соотношению «цена-качество» основа для создания портативного лабораторного или переносн...
Китайская компания SUNCO начала выпуск новых MOSFET-транзисторов на основе карбида кремния в корпусе TOLL (таблица 1). Этот корпус рассчитан на большие токи до 300 А, а его выводы обладают низкой паразитной индуктивностью. Ее значения у TOLL гораз...
На склад КОМПЭЛ поступили микросхемы PN8085LST-A1 китайской компании Chipown, которые являются полными pin-to-pin-аналогами популярной серии преобразователей VxxxR06 одного из ведущих западных производителей.
PN8085 представляет собой ШИМ-контролл...
Компания SUNCO (Китай) представила новый дискретный IGBT-транзистор DGW50N120CTL1J в корпусе TO-247 (рисунок 1). Его номинальное значение тока составляет 50 А, а напряжение пробоя – 1200 В. Важным преимуществом транзистора является наличие в нем о...
Китайская компания SUNCO выпустила новую серию IGBT-модулей MG600H напряжением 1200 В и током 600 A (таблица 1). Силовые модули выпускаются в корпусах 62 mm (C2) и Econodual (E3). Они предназначены для применения в частотных преобразователях элект...