HGQ014N04B-G

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ HGQ014N04B-G General Description ： HGQ014N04B-G, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is VDSS 40 V ID(Silicon Limited) 200 A ID(Package Limited) 100 A PD 96 W RDS(ON)Typ 1.1 mΩ ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN568
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJG200G04AR (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ JMSH0401ATLQ-13 (JIEJIE)
 
— 2000 шт
 
 — — — —
A+ NCEP40T35ALL (NCE)
 
— 15 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP40T20ALL (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ JMSH040SAGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0401BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0401ATSQ-13 (JIEJIE)
 
— 2000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ HGQ014N04B-G General Description ： HGQ014N04B-G, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is VDSS 40 V ID(Silicon Limited) 200 A ID(Package Limited) 100 A PD 96 W RDS(ON)Typ 1.1 mΩ suitable for use as a load switch and PWM applications. The package form is PDFN5×6-8L, which accords with the RoHS standard. Features：  Fast Switching  Low ON Resistance  Low Gate Charge  Low Reverse transfer capacitances  100% Single Pulse avalanche energy Test  Halogen Free Applications：  Power switch circuit of adaptor and charger.  Synchronus Rectification in DC/DC and AC/DC Converters Absolute（TJ= 25℃ unless otherwise specified） Symbol Parameter VDSS Drain-to-Source Voltage Rating Units 40 V 200 A 100 A 100 A Pulsed Drain Current Tc= 25°C 400 A Gate-to-Source Voltage ±18 V Avalanche Energy 780 mJ 96 W 0.768 W/℃ 150，–55 to 150 ℃ Continuous Drain Current Tc= 25°C(Silicon Limited) ID Continuous Drain Current Tc= 25°C(Package Limited) a1 Continuous Drain Current Tc = 100 °C(Package Limited) IDM VGS EAS a1 a2 PD TJ，Tstg a1 Power Dissipation TC= 25°C Derating Factor above 25°C Operating Junction and Storage Temperature Range W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . P ag e 1 of 10 2 0 1 9 V0 1 PDF
Документация на HGQ014N04B-G 

产品特点：

Дата модификации: 11.10.2019

Размер: 725.7 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)