IRLML6346

IRLML6346 N-Channel Power MOSFET FEATURES Ultra low on-resistance:VDS=30V,RDS(ON)≤63mΩ@VGS=4.5V,ID=3.4A For PWM application For Load switch application Surface Mount device     SOT-23 MECHANICAL DATA  Case: SOT-23  Case Material: Molded Plastic. UL f lammability  Classification Rating: 94V-0  Weight: 0.008 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Symbol ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 26

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRLML6346TRPBF (VBSEMI)
 

IRLML6346TRPBF (INFIN)
2000 шт
 
P= IRLML6346TR (YOUTAI)
 
30 шт
 
A+ WM03N32M (WAYON)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ WM03N57M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ YJL3400C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ YJL3400A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ YJL2304B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ YJL2304A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ YJL05N04C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ YJJD05N03A (YJ)
 
в ленте 3000 шт
 
A+ IRF7509 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
A+ NCE2304 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
A+ JMTL3406A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ JMTL3404A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ JMTL3402A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ SI2318A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ SI2304A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 100 шт
 
A+ IRLML0030 (KLS)
 
SOT-23-3 1 шт
 
A+ CJ3406 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 5 шт
 
±
A+ CJ3400A (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ AO3402A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ WM04N50M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ WM03N58M2 (WAYON)
 
SOT233L в ленте 3000 шт
 
A+ WM03N58M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
A+ JMTL3400A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ YJL3404A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
IRLML6346 N-Channel Power MOSFET FEATURES Ultra low on-resistance:VDS=30V,RDS(ON)≤63mΩ@VGS=4.5V,ID=3.4A For PWM application For Load switch application Surface Mount device     SOT-23 MECHANICAL DATA  Case: SOT-23  Case Material: Molded Plastic. UL f lammability  Classification Rating: 94V-0  Weight: 0.008 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Symbol Max. Units 30 3.4 2.7 17 V ID @ TA = 25°C ID @ TA = 70°C IDM Drain-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current PD @TA = 25°C Maximum Power Dissipation 1.3 PD @TA = 70°C Maximum Power Dissipation Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage Junction and Storage Temperature Range Junction-to-Ambient ③ Junction-to-Ambient (t<10s) VDS VGS TJ, TSTG RJA RJA Parameter 30 ––– ––– ––– 0.5 ––– ––– 0.02 46 59 0.8 ––– ––– ––– 63 80 1.1 1.0 ––– ––– ––– ––– 9.5 ––– ––– ––– ––– ––– ––– ––– ––– ––– ––– ––– ––– ––– 3.9 ––– 2.9 0.13 1.1 3.3 4.0 12 4.9 270 32 21 150 100 -100 ––– ––– ––– ––– ––– ––– ––– ––– ––– ––– ––– ––– ––– ––– 1.3 ––– ––– 17 VGS(th) Gate Threshold Voltage IDSS Drain-to-Source Leakage Current IGSS RG gfs Qg Qgs Qgd td(on) tr td(off) tf Ciss Coss Crss Gate-to-Source Forward Leakage Gate-to-Source Reverse Leakage Internal Gate Resistance Forward Transconductance Total Gate Charge Gate-to-Source Charge Gate-to-Drain ("Miller") Charge Turn-On Delay Time Rise Time Turn-Off Delay Time Fall Time Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance IS Continuous Source Current ISM (Body Diode) Pulsed Source Current VSD (Body Diode) Diode Forward Voltage ––– ––– 1.2 V trr Reverse Recovery Time ––– 8.8 13 ns Qrr Reverse Recovery Charge ––– 2.7 4.1 nC ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD °C/W Conditions d d Static Drain-to-Source On-Resistance d d MOSFET symbol A Notes:  Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. ‚ Pulse width  400μs; duty cycle  2%. W/°C V °C V VGS = 0V, ID = 250μA V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA VGS = 4.5V, ID = 3.4A m VGS = 2.5V, ID = 2.7A V VDS = VGS, ID = 10μA VDS =24V, VGS = 0V μA VDS = 24V, VGS = 0V, TJ = 125°C VGS = 12V nA VGS = -12V  S VDS = 10V, ID = 3.4A ID = 3.4A nC VDS =15V VGS = 4.5V VDD =15V ID = 1.0A ns RG = 6.8 VGS = 4.5V VGS = 0V pF VDS = 24V ƒ = 1.0MHz RDS(on) c W 0.8 0.01 ± 12 -55 to + 150 100 99 Electric Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Symbol Parameter Min. Typ. Max. Units V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS/TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient A showing the integral reverse D G p-n junction diode. TJ = 25°C, IS = 3.4A, VGS = 0V TJ = 25°C, VR = 24V, IF=1.3A di/dt = 100A/μs S d d ƒ Surface mounted on 1 in square Cu board. E-mail:hkt@heketai.com 1/6 PDF
Документация на IRLML6346 

hannel Power MOSFET

Дата модификации: 12.11.2020

Размер: 776.2 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.