JMTL3400A

JIEJIE
JMTL3400A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  Applications  Load Switch 30V, 5.8A RDS(ON) < 26 mΩ @ VGS = 10V  RDS(ON) < 32 mΩ @ VGS = 4.5V  PWM Application Power Management RDS(ON) < 42 mΩ @ VGS = 2.5V   Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge D G S SOT-23 Top View Schematic Diagram Marking and Pin Assignment ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 32

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE2304 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
P- CJ3400 (JSCJ)
 
SOT-23-3 30 шт
 
 — —
P- IRLML2030TR (YOUTAI)
 
— 21000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJL3404A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 —
P- CJ3400A (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- WM03N57M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- YJL3400A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- CJ3406 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 5 шт
 
 ± — — — — —
P- IRLML6344TR (YOUTAI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJL03N03B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P- NCE3404 (NCE)
 
SOT-23-3
 
 ± — — — —
P- IRFML8244TR (YOUTAI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CRTJ250N03L2-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
 — — —
P- NCE3400XY (NCE)
 
SOT233L
 
 — — — — — — — — — — — —
P- WM03N58M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — — — —
A+ YJJ09N03A (YJ)
 
— в ленте 3000 шт —
A+ CJQ4410 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — — —
A+ AO4466 (YOUTAI)
 
— 200 шт
 
 — —
A+ FK8V03040L (PAN)
 
WMini8-F1
 
 Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 33V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ CJK3400AH (JSCJ)
 
SOT233L 5 шт
 
 ± — — — — —
A+ CJMN3010 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ WMS10N04TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ YJQ3400A (YJ)
 
DFN2020-6L
 
 — —
A+ YJL3404AQ (YJ)
 
—
 
 — —
A+ JMTJ3400A (JIEJIE)
 
SOT233L 3000 шт
 
 — — — —
A+ YJJ3400A (YJ)
 
—
 
 — —
A+ YJL3400AQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — —
A+ WMR07N03T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WM03N115A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ YJS10N04A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 5 шт
 
 — —
A+ JMTL3404A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ NCE3010S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTL3400A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features  Applications  Load Switch 30V, 5.8A RDS(ON) < 26 mΩ @ VGS = 10V  RDS(ON) < 32 mΩ @ VGS = 4.5V  PWM Application Power Management RDS(ON) < 42 mΩ @ VGS = 2.5V   Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge D G S SOT-23 Top View Schematic Diagram Marking and Pin Assignment Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Outline Package 3400 JMTL3400A TAPING SOT-23 Reel Size Reel(pcs) 7" 3000 Per Carton (pcs) 120000 Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-to-Source Voltage 30 V VGS Gate-to-Source Voltage ±12 V ID IDM PD RθJA TJ, TSTG Continuous Drain Current TA = 25°C TA = 100°C Pulsed Drain Current (1) Power Dissipation 4 A 23 A TA = 25°C 1.3 W (2) 95 °C/W -55 to 150 °C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction & Storage Temperature Range JieJie Microelectronics Co., Ltd 5.8 1 Version：1.6 PDF
Документация на JMTL3400A 

Дата модификации: 17.11.2023

Размер: 952.9 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    06 марта 2024
    новость

    Низковольтные MOSFET JJMicroelectronics доступны со склада КОМПЭЛ

    Компания JieJie Microelectronics Co., Ltd. (JJMicroelectronics) – известный китайский производитель дискретных полупроводников и силовых модулей. Она была основана в г. Цидун в 1995 году и производит MOSFET–транзисторы, диодные и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)