NCE2304

NCE2304 http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The NCE2304 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable G for use as a load switch or in PWM applications. General Features ● VDS = 30V,ID = 3.6A S Schematic diagram RDS(ON) < 73mΩ @ VGS=4.5V RDS(ON) <46mΩ @ VGS=10V ● High power ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 32

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WM03N32M (WAYON)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
P- WM03N57M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- CJ3134K (JSCJ)
 
8000 шт
P- IRLML2803TR (YOUTAI)
 

IRLML2803TR (INFIN)
в ленте 3000 шт
 
P- YJL2304A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- WM02N28M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- IRLML2402 (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- IRLML2030TR (YOUTAI)
 
21000 шт
 
P- YJL03N03B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- JMTL3400A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- CRTJ250N03L2-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
P- JMTL3134K (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- JMTL3406A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- CRTJ550N02U2-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
P- CJ3406 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 5 шт
 
±
A+ CJ3404 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
A+ YJL05N04C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ YJJD05N03A (YJ)
 
в ленте 6000 шт
 
A+ JMTL3402A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ SI2318A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 100 шт
 
A+ IRLML0030 (KLS)
 
1 шт
 
A+ YJL2304B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ CJ3400A (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ JMTL3404A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ WM04N50M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMT07N03T1 (WAYON)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт
A+ YJL3400A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ YJL3400C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ YJL3404A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMR07N03T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
A+ WM03N58M2 (WAYON)
 
SOT233L в ленте 3000 шт
 
A+ WM03N58M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт

Файлы 1

показать свернуть
NCE2304 http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The NCE2304 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable G for use as a load switch or in PWM applications. General Features ● VDS = 30V,ID = 3.6A S Schematic diagram RDS(ON) < 73mΩ @ VGS=4.5V RDS(ON) <46mΩ @ VGS=10V ● High power and current handing capability ● Lead free product is acquired ● Surface mount package ● Pb free terminal plating ● RoHS compliant ● Halogen free Application ● Battery protection ● Load switch ● Power management Marking and pin assignment SOT-23 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity 2304 Ẋ NCE2304 SOT-23 Ø180mm 8 mm 3000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID 3.6 A Drain Current-Pulsed IDM 15 A PD 1.7 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 73.5 ℃/W (Note 1) Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=250μA 30 33 - V Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=30V,VGS=0V - - 1 μA Off Characteristics Wuxi NCE Power Co., Ltd Page1 V3.0 PDF
Документация на NCE2304 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 12.07.2022

Размер: 618.1 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    14 марта
    новость

    На складе КОМПЭЛ готовы к заказу дискретные полупроводники NCE

    Продукция китайского фаблесс–производителя дискретных полупроводниковых компонентов Wuxi New Clean Energy Co., Ltd. (NCE) пополнила склад КОМПЭЛ (таблица 1). Компания NCE была основана в 2013 году в городе Уси и сейчас фокусируется на... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.