SI2300

Hottech
SI2300 LOW VOLTAGE MOSFET (N-CHANNEL) FEATURES  Ultra low on-resistance:VDS=20V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V,ID=3.8A  For Low power DC to DC converter application  For Load switch application  Surface Mount device SOT-23 MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C u...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 31

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WM02N50M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P= IRLML2402TRPBF-VB (VBSEMI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= NCE2302 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
P= IRLML2502 (EVVO)
 

IRLML2502 (INFIN) 		SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= IRLML2402 (HOTTECH)
 

IRLML2402 (INFIN) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= IRLML2402 SOT-23 (HOTTECH)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= WM02N28M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P= WM02N31M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ IRLML6244 (HOTTECH)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ IRLML2502TRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRLML2502TRPBF (VBSEMI) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ IRLML6246TRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRLML6246TRPBF (VBSEMI) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ IRLML2502 (HOTTECH)
 

IRLML2502 (INFIN) 		TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ WM02DN70M3 (WAYON)
 
SOT236
 
 — — — — — —
A+ WM02DN50M3 (WAYON)
 
SOT236
 
 — — — — — —
A+ WM02DN60M3 (WAYON)
 
SOT236
 
 — — — — — —
A+ WM02DN48A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт — — — — — —
A+ YJL2312A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 —
A+ YJL2312AL (YJ)
 
— в ленте 3000 шт
 
 —
A+ JMTL2312A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ YJL2302A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ YJL2300A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ WM02DN70A (WAYON)
 
TSSOP-8 — — — — — —
A+ NCE9926 (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ YJJ12N02A (YJ)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ IRLML2502 (YOUTAI)
 

IRLML2502 (INFIN) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — —
A+ IRLML6244TR (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ IRLML6246 (KLS)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ SI2300A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
A+ WM02N70M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ SI2302A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — —
A+ WM02N45M (WAYON)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
SI2300 LOW VOLTAGE MOSFET (N-CHANNEL) FEATURES  Ultra low on-resistance:VDS=20V,RDS(ON)=40mΩ@VGS=4.5V,ID=3.8A  For Low power DC to DC converter application  For Load switch application  Surface Mount device SOT-23 MECHANICAL DATA     Case: SOT-23 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.008 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Parameter Drain-source voltage Gate-source voltage Continuous drain current Pulsed drain current (Note 1) Power dissipation Thermal resistance from Junction to ambient Junction temperature Storage temperature Symbol VDS VGS ID IDM PD RθJA TJ TSTG Value 20 ±10 3.8 15 1.25 100 150 -55 ~+150 Unit V V A A W °C/W °C °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified) Conditions Parameter Symbol Min Typ Max Unit V(BR)DSS VGS=0V, ID=250μA Drain-Source breakdown voltage 20 V Zero gate voltage drain current uA VDS=20V, VGS=0V IDSS 1 Gate-body leakage current IGSS ±100 nA VDS=0V, VGS=±10V Gate-threshold voltage (note 1) VDS=VGS, ID=250μA VGS(th) 0.6 0.78 1.5 V 32 40 mΩ VGS=4.5V, ID=3.8A Drain-source on-resistance (note 1) RDS(ON) 50 60 mΩ VGS=2.5V, ID=2A 62 75 mΩ VGS=1.8V, ID=1A On-State Drain Current VDS=5V, VGS=4.5V ID(ON) 18 A Forward transconductance (note 1) VDS=5V, ID=3.8A gFS 5 S Input capacitance Ciss 888 pF Output capacitance Coss 144 pF VDS=15V, VGS=0V, f=1MHz Reverse transfer capacitance Crss 115 pF Turn-on delay time td(on) 31.8 nS Turn-on rise time tr 14.5 nS VDD=10V, VGS=10V, Turn-off delay time td(off) 50.3 nS RGEN=6Ω,RL=10Ω Turn-off fall time tf 31.9 nS Total gate charge Qg 16.8 nC Gate-source charge Qgs 2.5 nC VDD=15V,VGS=10V,ID=3.8A Gate-drain charge Qgd 5.4 nC Diode forward voltage (note 1) IS=0.83A, VGS=0V VSD 1.25 V 0.82 Diode forward current 1.2 A IS Note:1. Pulse test ; Pulse width ≤300µs, Duty cycle ≤ 2% . 5 ©GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD E-mail:hkt@heketai.com 1/5 PDF
Документация на SI2300 

Subject:

Дата модификации: 11.03.2019

Размер: 845.6 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)