WM02N28M

Document: W0803348, Rev: B WM02N28M M N-Channel MOSFET Features ⚫ VDS= 20V, ID = 2.8A RDS(on) < 60mΩ @ VGS = 4.5V RDS(on) <100mΩ @ VGS = 2.5V ⚫ Low Gate Charge ⚫ Trench Power LV MOSFET Technology Mechanical Characteristics ⚫ SOT-23 Package ⚫ Marking : Making Code ⚫ RoHS Compliant Schematic & PIN Configuration D G D G S S SOT-23(Top View) Device symbol Absolute Maximum...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 44

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= SI2300 (HOTTECH)
 
1000 шт
 
P= WM02N50M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= WM02N31M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= IRLML2402TRPBF-VB (VBSEMI)
 
в ленте 3000 шт
 
P= IRLML2502 (EVVO)
 

IRLML2502 (INFIN)
SOT-23-3 3000 шт
 
P= IRLML2402 SOT-23 (HOTTECH)
 
в ленте 3000 шт
 
P= IRLML2402 (HOTTECH)
 

IRLML2402 (INFIN)
в ленте 3000 шт
 
P- YJL2302B (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
P- NCE2304 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
P- IRLML2502 (YOUTAI)
 

IRLML2502 (INFIN)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
P- NCE2302 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
P- CJ3420 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 5 шт
 
±
P- YJL2312A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- YJL2302A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- NCE2312A (NCE)
 
SOT-23-3
 
±
P- YJL2300A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- IRLML6244TR (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- IRLML2402TR (YOUTAI)
 

IRLML2402TR (INFIN)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- CJ8810 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
±
P- JMTL2302B (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- CRTJ200N02U2-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
P- JMTL2312A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- CRTJ550N02U2-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- JMTL3134K (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- JMTL2302C (JIEJIE)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
P- IRLML6246TR (YOUTAI)
 
в ленте 3000 шт
 
P- CJ2302 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- CJ3134K (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ WM4C62160A (WAYON)
 
 
A+ BLM2302 (CN BELL)
 
SOT-23-3
 
N-Channel Trench MOSFET, SOT23, 20 V, 2,9 A, 0,03 Ohm High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, Battery protection, Load switch, Power management
A+ WM02DN48A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
A+ FK6K02010L (PAN)
 
WSMini6-F1-B
 
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ AO3414A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ CJA9452 (JSCJ)
 
SOT893L
 
±
A+ CJ2312 SOT-23 (JSCJ)
 
 
A+ CJ2312 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ WM02N45M (WAYON)
 
SOT-23-3
 
A+ WM02DN50M3 (WAYON)
 
SOT236
 
A+ IRLML6246TRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRLML6246TRPBF (VBSEMI)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ IRLML2502TRPBF-VB (VBSEMI)
 

IRLML2502TRPBF (VBSEMI)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MTM78E2B0LBF (PAN)
 
WSON-8 1 шт
 
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ IRLML6246 (KLS)
 
1 шт
 
A+ SI2302A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
A+ YJJ12N02A (YJ)
 
в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.