NCE3010S

NCE
NCE3010S http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3010S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V,ID =10A Schematic diagram RDS(ON) < 12mΩ @ VGS=10V RDS(ON) <16mΩ @ VGS=4.5V ● High density cell design for ultra ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 30

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMS15N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в коробках 4000 шт
 
 — — —
P= IRF3717 (EVVO)
 

IRF3717 (INFIN) 		SOP-8 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJS12N03A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — —
P- IRF7401TR (YOUTAI)
 

IRF7401TR (INFIN) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMTP4406A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — — —
P- CRTE110N03L (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
P- CJQ4410 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — — —
P- YJS10N02A (YJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 — —
P- WMS13N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- IRF8707 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
P- IRF8707TRPBF-VB (VBSEMI)
 
— 200 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ YJS18N03A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — —
A+ CJQ4406 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —
A+ CJQ13N04 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —
A+ CJMN3010 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ AO4406A (YOUTAI)
 
SOP-8 в ленте 20 шт
 
 — —
A+ CJAC20N03 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAB20N03 (JSCJ)
 
— 88 шт
 
 ± — — — — —
A+ WMR14N03TB (WAYON)
 
DFN62X2
 
 — — — — — —
A+ WMR050N03LG4 (WAYON)
 
DFN62X2
 
 — — — — —
A+ NCE3018AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
A+ YJJ09N03A (YJ)
 
— в ленте 3000 шт —
A+ IRF7832 (EVVO)
 

IRF7832 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ NCE3020Q (NCE)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
 ± — — — —
A+ JMTQ120N03A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMTP3008A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
A+ CJQ20N03 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 ± — — — — —
A+ AO4480 (YOUTAI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ AO4410 (YOUTAI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ IRF8736 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE3010S http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3010S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V,ID =10A Schematic diagram RDS(ON) < 12mΩ @ VGS=10V RDS(ON) <16mΩ @ VGS=4.5V ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized Avalanche voltage and current Application ● Power switching application ● Hard Switched and High Frequency Circuits ● Uninterruptible Power Supply Marking and pin assignment SOP-8 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE3010 NCE3010S SOP-8 Ø330mm 12mm 4000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 10 A ID (100℃) 7 A Pulsed Drain Current IDM 50 A Maximum Power Dissipation PD 2.5 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 50 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page1 V4.0 PDF
Документация на NCE3010S 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 29.09.2022

Размер: 675.7 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    14 марта 2024
    новость

    На складе КОМПЭЛ готовы к заказу дискретные полупроводники NCE

    Продукция китайского фаблесс–производителя дискретных полупроводниковых компонентов Wuxi New Clean Energy Co., Ltd. (NCE) пополнила склад КОМПЭЛ (таблица 1). Компания NCE была основана в 2013 году в городе Уси и сейчас фокусируется на... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WMJ25N80M3 (WAYON)