NCE3010S
NCE3010S
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE3010S uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
● VDS =30V,ID =10A
Schematic diagram
RDS(ON) < 12mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) <16mΩ @ VGS=4.5V
● High density cell design for ultra ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SO-8 SOIC8
- Норма упаковки: 4000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SO-8 SOIC8 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 21
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P= | WMS15N03T1 (WAYON) | SOP8L | в коробках 4000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| P- | IRF7401TR (YOUTAI) IRF7401TR (INFIN) | — | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | CJQ4410 (JSCJ) | SO-8 SOIC8 |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| P- | YJS10N02A (YJ) | SO-8 SOIC8 |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |||
| A+ | YJS12N03A (YJ) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | NCE3009S (NCE) | SO-8 SOIC8 |
|  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | NCE4015S (NCE) | SO-8 SOIC8 |
|  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | JMTP3008A (JIEJIE) | SO-8 SOIC8 | 4000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | CJAB20N03 (JSCJ) | — | 88 шт |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | AO4410 (YOUTAI) | — | в ленте 10 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | AO4406A (YOUTAI) | SOP-8 | в ленте 20 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | CJQ20N03 (JSCJ) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | CJMN3010 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC20N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | YJS18N03A (YJ) | SO-8 SOIC8 | 8000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJQ13N03A (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | |||
| A+ | NCE3018AS (NCE) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт |
|  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | |
| A+ | AO4480 (YOUTAI) | — | 1 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | WMS13N03T1 (WAYON) | SOP8L | в ленте 4000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | YJJ09N03A (YJ) | — | в ленте 3000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | |
| A+ | NCE3020Q (NCE) | DFN83X3 | 5000 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE3010S
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 29.09.2022
Размер: 675.7 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.