JMTP080P03A

JIEJIE
JMTP080P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Applications Features  -30V, -15A  Load Switch RDS(ON) < 9mΩ @ VGS = -10V  RDS(ON) < 14mΩ @ VGS = -4.5V  PWM Application Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead Free  100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! D G S SOP-8 Schematic Diagram Marking and Pi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMS14P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- CJQ4407S (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт ± — — — — —
P- FDS6681Z (YOUTAI)
 

FDS6681Z (ONS-FAIR) 		— 100 шт
 
 — —
P- NCE30P25S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
P- CRTE080P03L2P (CRMICRO)
 
SOP-8 в ленте 5000 шт
 
 — — —
P- IRF9321TR (YOUTAI)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTP080P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Applications Features  -30V, -15A  Load Switch RDS(ON) < 9mΩ @ VGS = -10V  RDS(ON) < 14mΩ @ VGS = -4.5V  PWM Application Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead Free  100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! D G S SOP-8 Schematic Diagram Marking and Pin Assignment Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Outline Package 080P03A JMTP080P03A TAPING SOP-8 Reel Size Reel(pcs) 13" 4000 Per Carton (pcs) 48000 Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-to-Source Voltage -30 V VGS Gate-to-Source Voltage ±20 V ID IDM EAS PD RθJA TJ, TSTG Continuous Drain Current TA = 25°C -15 TA = 100°C -10 Pulsed Drain Current (1) Single Pulsed Avalanche Energy Power Dissipation -60 A 132 mJ TA = 25°C 1.7 W (3) 73 °C/W -55 to 150 °C (2) Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction & Storage Temperature Range JieJie Microelectronics Co., Ltd A 1 Version：1.3 PDF
Документация на JMTP080P03A 

Дата модификации: 11.10.2023

Размер: 1.09 Мб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    06 марта 2024
    новость

    Низковольтные MOSFET JJMicroelectronics доступны со склада КОМПЭЛ

    Компания JieJie Microelectronics Co., Ltd. (JJMicroelectronics) – известный китайский производитель дискретных полупроводников и силовых модулей. Она была основана в г. Цидун в 1995 году и производит MOSFET–транзисторы, диодные и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)