CRTE080P03L2P

CR Micro
Silicon P-Channel Power MOSFET CRTE080P03L2P General Description ： VDSS -30 V CRTE080P03L2P, the silicon P-channel Enhanced ID -16 A VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench PD 3.1 W technology which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 6.2 mΩ performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and PWM ap...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMS14P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- CJQ4407S (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт ± — — — — —
P- FDS6681Z (YOUTAI)
 

FDS6681Z (ONS-FAIR) 		— 100 шт
 
 — —
P- NCE30P25S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
P- JMTP080P03A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- IRF9321TR (YOUTAI)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon P-Channel Power MOSFET CRTE080P03L2P General Description ： VDSS -30 V CRTE080P03L2P, the silicon P-channel Enhanced ID -16 A VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench PD 3.1 W technology which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 6.2 mΩ performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and PWM applications. The package form is SOP8, which accords with the RoHS standard. Features：  Fast Switching  Low ON Resistance(Rdson≤7.8mΩ)  Low Gate Charge  Low Reverse transfer capacitances  100% Single Pulse avalanche energy Test Applications： Power switch circuit of adaptor and charger. Absolute（Tj= 25℃ unless otherwise specified） Symbol Parameter VDSS ID a1 IDM VGS EAS a2 PD TJ，Tstg Rating Units Drain-to-Source Voltage -30 V Continuous Drain Current TC = 25 °C -16 A Continuous Drain Current TC = 100 °C -10 A Pulsed Drain Current TC = 25 °C -64 A Gate-to-Source Voltage ±20 V 94.09 mJ 3.1 W 0.025 W/℃ 150，–55 to 150 ℃ Avalanche Energy Power Dissipation TC = 25 °C Derating Factor above 25°C Operating Junction and Storage Temperature Range W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . P ag e 1 of 10 2 0 2 1 V0 1 PDF
Документация на CRTE080P03L2P 

产品特点：

Дата модификации: 20.12.2021

Размер: 676.2 Кб

10 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    18 марта 2024
    новость

    Новые полевые транзисторы и сборки производства CR MICRO поступили на склад КОМПЭЛ

    Ассортимент продукции, представленной на нашем складе, недавно пополнили транзисторы и сборки MOSFET производства китайской компании China Resources Microelectronics Limited (CR MICRO). Она была основана в 2002 году и является частью огромного... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)