CRTE080P03L2P

Silicon P-Channel Power MOSFET CRTE080P03L2P General Description : VDSS -30 V CRTE080P03L2P, the silicon P-channel Enhanced ID -16 A VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench PD 3.1 W technology which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 6.2 mΩ performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and PWM ap...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMS14P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P- CJQ4407S (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт ±
P- FDS6681Z (YOUTAI)
 

FDS6681Z (ONS-FAIR)
100 шт
 
P- NCE30P25S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ±
P- JMTP080P03A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
P- IRF9321TR (YOUTAI)
 
SO-8 SOIC8
 

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 1

показать свернуть
18 марта
новость

Новые полевые транзисторы и сборки производства CR MICRO поступили на склад КОМПЭЛ

Ассортимент продукции, представленной на нашем складе, недавно пополнили транзисторы и сборки MOSFET производства китайской компании China Resources Microelectronics Limited (CR MICRO). Она была основана в 2002 году и является частью огромного... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.