Вход / Регистрация

JMTY11DN10A

JIEJIE
JMTY11DN10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  100V, 5A RDS(ON) <125mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) <147mΩ @ VGS = 4.5V  Load Switch  PWM Application  Power management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired SOT-223 top view 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignme...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT2233L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMQ10N10TS (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ CJQ07N10 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 ± — — — — —
A+ JMTQ11DN10A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMTI10N10A (JIEJIE)
 
TO2513L 75 шт
 
 — — — —
A+ WMS175N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ TSM950N10CW RPG (TSC)
 
SOT-223 2500 шт
 
 — —
A+ WMT07N10TS (WAYON)
 
SOT-223 2500 шт — — — — — —
A+ WMT05N12TS (WAYON)
 
SOT-223 — — — — — —
A+ WMT05N10T1 (WAYON)
 
SOT-223 1 шт — — — — — —
A+ IRFL4310TRPBF (JSMICRO)
 

IRFL4310TRPBF (INFIN) 		SOT-223 в ленте 50 шт
 
 — — — — —
A+ NCE0110K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 ± — — — —
A+ NCE0106Z (NCE)
 
TO-92-3 1 шт ± — — — —
A+ JMTK10N10A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — —
A+ NCEP13N10AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTY11DN10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  100V, 5A RDS(ON) <125mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) <147mΩ @ VGS = 4.5V  Load Switch  PWM Application  Power management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired SOT-223 top view 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device OUTLINE Device Package Reel Size Reel (PCS) Per Carton (PCS) JMTY11DN10A JMTY11DN10A TAPING SOT-223 13inch 4000 40000 Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage 100 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 V TA = 25℃ 5 A TA = 100℃ 3.3 A 20 A 4 mJ TA = 25℃ 5 W Thermal Resistance, Junction to Ambient 25 ℃/W -55 to +150 ℃ ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current EAS PD RθJA TJ, TSTG note1 Single Pulsed Avalanche Energy Power Dissipation note2 Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics CO. , Ltd Version :1.0 -1- PDF
Документация на JMTY11DN10A 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 31.03.2021

Размер: 516.4 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)