JMTK10N10A

JIEJIE
JMTK10N10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  100V, 10A RDS(ON) <108mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) <125mΩ @ VGS = 4.5V  Load Switch  PWM Application  Power management  Advanced Trench Technology  Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired TO-252-3L(DPAK) top view 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 26

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE0110K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 ± — — — —
P- WMO13N10TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
P- CRTD700N10S-V-G (CRMICRO)
 
TO252
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRLR120NTR (YOUTAI)
 

IRLR120NTR (INFIN) 		TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CJU10N10 (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
 ± — — — — —
P- YJD15N10A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт — —
A+ STD10NF10L (YOUTAI)
 
TO-252-3 — —
A+ YJS11G10A (YJ)
 
SOP-8 в ленте 8000 шт
 
 — — — — —
A+ JMTI10N10A (JIEJIE)
 
TO2513L 75 шт
 
 — — — —
A+ JMSL1040AUQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL1040AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ TSM900N10CP ROG (TSC)
 
TO252 2500 шт
 
 — —
A+ TSM900N10CH X0G (TSC)
 
TO251 75 шт
 
 — —
A+ CJU15SN10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ CJU15N10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ WMS119N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
A+ YJG18N10A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ WMS080N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
A+ NCE0117 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —
A+ TSM900N10CP (TSC)
 
TO252 1 шт
 
 — — —
A+ 15N10 (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 ± — — —
A+ WMS175N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ WMQ10N10TS (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMO15N10T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ WMK16N10T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ IRFR3910 (EVVO)
 

IRFR3910 (INFIN) 		TO252 в ленте 2500 шт — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTK10N10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  100V, 10A RDS(ON) <108mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) <125mΩ @ VGS = 4.5V  Load Switch  PWM Application  Power management  Advanced Trench Technology  Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired TO-252-3L(DPAK) top view 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device OUTLINE Device Package Reel Size Reel (PCS) Per Carton (PCS) JMTK10N10A JMTK10N10A TAPING TO-252-3L 13inch 2500 25000 Absolute Maximum Ratings (TC=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage 100 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 V TC = 25℃ 10 A TC = 100℃ 6.5 A 40 A 6 mJ 44 W 3.4 ℃/W -55 to +175 ℃ ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current EAS PD RθJC TJ, TSTG note1 Single Pulsed Avalanche Energy note2 Power Dissipation TC = 25℃ Thermal Resistance, Junction to Case Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics CO. , Ltd Version :1.5 -1- PDF
Документация на JMTK10N10A 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 01.08.2022

Размер: 390.2 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    06 марта 2024
    новость

    Низковольтные MOSFET JJMicroelectronics доступны со склада КОМПЭЛ

    Компания JieJie Microelectronics Co., Ltd. (JJMicroelectronics) – известный китайский производитель дискретных полупроводников и силовых модулей. Она была основана в г. Цидун в 1995 году и производит MOSFET–транзисторы, диодные и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)