IRF7473TRPBF-VB

VBSemi
IRF7473TRPBF www.VBsemi.com N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY RDS(on) VGS = 10 V 32 V mΩ ID 9 A 100 VDS • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Extremely Low Qgd for Switching Losses • 100 % Rg Tested • 100 % Avalanche Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Single Configuration APPLICATIONS • Primary Side Switch D SO-8 S 1 8 D S 2...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P+ WMS175N10LG4 (WAYON)
 
— 4000 шт
 
 — — — — —
P+ WMS175N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= IRF7473TR-VB (VBSEMI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJS11G10A (YJ)
 
SOP-8 в ленте 4000 шт
 
 — — — — —
P- CJQ07N10 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 ± — — — — —
P- NCE0108AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
P- IRF7473TRPBF (VBSEMI)
 

IRF7473TRPBF (INFIN) 		—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CRSE120N10L2 (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
A+ WMS175N10HG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMS119N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
A+ WMS080N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
A+ NCEP092N10AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
IRF7473TRPBF www.VBsemi.com N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY RDS(on) VGS = 10 V 32 V mΩ ID 9 A 100 VDS • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Extremely Low Qgd for Switching Losses • 100 % Rg Tested • 100 % Avalanche Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Single Configuration APPLICATIONS • Primary Side Switch D SO-8 S 1 8 D S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D G S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted) Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) Symbol VDS VGS TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C ID TC = 25 °C TA = 25 °C IS Single Pulse Avalanche Current Single Pulse Avalanche Energy L = 0.1 mH IAS EAS Maximum Power Dissipation TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C PD Operating Junction and Storage Temperature Range Unit V 6b, c 5b, c 40 7 IDM Pulsed Drain Current Continuous Source-Drain Diode Current Limit 100 ± 20 9 6 A 3.8b, c 30 112 14 5 4b, c 2b, c - 55 to 150 TJ, Tstg mJ W °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum Junction-to-Ambientb, f t ≤ 10 s Maximum Junction-to-Foot (Drain) Steady State Notes: a. Based on TC = 25 °C. b. Surface mounted on 1” x 1” FR4 board. c. t = 10 s. d. Maximum under steady state conditions is 80 °C/W. Symbol RthJA RthJF Typical 33 17 Maximum 40 21 Unit °C/W PDF
Документация на IRF7473TRPBF-VB 

Дата модификации: 08.02.2023

Размер: 342.8 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)