NCEP6050AQU

Pb Free Product NCEP6050AQU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP6050AQU uses Super Trench technology that is General Features uniquely optimized to provide the most efficient high ● VDS =60V,ID =50A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=6.5mΩ (typical) @ VGS=10V switching power losses are minimized due to an extreme...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN83X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 27

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJQ45G06A (YJ)
 
DFN30308 в ленте 1600 шт
 
P- WMQ060N06LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
P- CJAE35SN06 (JSCJ)
 
 
±
P- WMQ098N06LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMK060N08HG2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMQ048NV6HG4 (WAYON)
 
 
A+ WMQ048NV6LG4 (WAYON)
 
 
A+ WMB060N08LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ TSM100N06CZ C0G (TSC)
 
TO-220-3 50 шт
 
A+ CJAC100SN08U (JSCJ)
 
125 шт ±
A+ CJU60SN08 (JSCJ)
 
TO2522L 1 шт
 
±
A+ WMO048NV6LG4 (WAYON)
 
1 шт
 
A+ WMK100N07TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMB048NV6LG4 (WAYON)
 
в ленте 3000 шт
 
A+ YJG95G06A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ WMO048NV6HG4 (WAYON)
 
 
A+ WMM90N08TS (WAYON)
 
TO263
 
A+ WMO100N07T1 (WAYON)
 
TO252
 
A+ YJG80G06B (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ YJD90N06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ YJD80G06C (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ NCE6080A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
±
A+ JMTG060N06A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ WMO80N06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ YJQ70G06A (YJ)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
A+ WMK80N06T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ BLM07N06-D (CN BELL)
 
TO2522L
 
N-Channel Trench MOSFET, TO-252-2L, 60 V, 95 A, 0,006 Ohm Special process technology for high ESD capability, High density cell design for lower Rdson, Fully characterized avalanche voltage and current, Good stability and uniformity with high EAS, Excellent package for good heat dissipation, UIS TESTED, DVDS TESTED, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Uninterruptible power supply

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCEP6050AQU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP6050AQU uses Super Trench technology that is General Features uniquely optimized to provide the most efficient high ● VDS =60V,ID =50A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=6.5mΩ (typical) @ VGS=10V switching power losses are minimized due to an extremely low RDS(ON)=7.7mΩ (typical) @ VGS=4.5V combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) high-frequency switching and synchronous rectification. ● Very low on-resistance RDS(on) Application ● 150 °C operating temperature ● DC/DC Converter ● Pb-free lead plating ● Ideal for high-frequency switching and 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! synchronous rectification DFN 3.3X3.3 Top View Schematic Diagram Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP6050AQU NCEP6050AQU DFN3.3X3.3-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 50 A ID (100℃) 39 A Pulsed Drain Current IDM 200 A Maximum Power Dissipation PD 60 W 0.48 W/℃ EAS 350 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 2.1 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 1) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V3.0 PDF
Документация на NCEP6050AQU 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 07.05.2022

Размер: 835.8 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.