YJQ45G06A
RoHS
YJQ45G06A
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=10V)
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)
● 100% EAS Tested
60V
45A
<9.5mΩ
<13.5mΩ
General Description
● Split gate trench MOSFET technology
● Low RDS(on) & FOM
● Extremely low switching loss
● Excellent stability and uniformity
● Moisture Sensitivity Level 3
● Epoxy Meets UL 9...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: DFN30308
- Норма упаковки: 800 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | DFN30308 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 31
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | CJQ14SN06 (JSCJ) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт |
| ± | — | — | — | — | — | |||||||
P- | WMQ098N06LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | CJAE35SN06 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
P- | NCEP6050AQU (NCE) | DFN83X3 | в ленте 40 шт | ± | — | — | — | ||||||||||
P- | WMB56N04T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
P- | WMQ060N06LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | NCE6025Q (NCE) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P- | JMSL0609AU (JIEJIE) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
A+ | WMO80N08TS (WAYON) | TO252 | 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJD60N06A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJG85G06AK (YJ) | — | — | — | |||||||||||||
A+ | YJG80G06A (YJ) | — | 1 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG70G06A (YJ) | — | 20 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJD80G06A (YJ) | TO252 |
| Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | ||||||||||||
A+ | NCE6080A (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJD50N06A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | JMTG060N06A (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | WMQ060N08LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJG80G06B (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | WMO80N06T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMO076N06LG2 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | JMTK110N06A (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | WMM80N08TS (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMK80N06T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJQ70G06A (YJ) | DFN83X3 | в ленте 5000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJP65N06A (YJ) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJG60G06A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJD90N06A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | YJD80G06C (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | WMO060N06LG2 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJQ62G06A (YJ) | — | в ленте 10 шт | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.