YJG60G06A

RoHS YJG60G06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 60A <9.5mΩ <13mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Moisture Sensitivity Level 3 ●...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 28

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMS09N06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P- NCE6045XG (NCE)
 
 
P- HGQ09N06A (CRMICRO)
 
PDFN8L5X6
 
P- CJQ14SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ±
P- WMB52N06T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ YJG85G06AK (YJ)
 
 
A+ CS120N06C8 (CRMICRO)
 
TO220AB в линейках 1000 шт
 
A+ YJG70G06A (YJ)
 
20 шт
 
A+ YJG80G06A (YJ)
 
1 шт
 
A+ WML100N07TS (WAYON)
 
TO220F 10 шт
 
A+ YJQ62G06A (YJ)
 
в ленте 10 шт
 
A+ YJD80G06C (YJ)
 
TO252 2500 шт
A+ JMTK110N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMM90N08TS (WAYON)
 
TO263
 
A+ WMO060N06LG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ YJD90N06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ WMK80N06T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ JMTK060N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMK100N07TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMB060N08LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ060N08LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ060N06LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMO80N06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ YJQ70G06A (YJ)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
A+ YJG95G06A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ YJG80G06B (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ WMK90N08TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMO100N07T1 (WAYON)
 
TO252
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG60G06A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 60A <9.5mΩ <13mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power switching application ● Uninterruptible power supply ● DC-DC convertor ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 10 TA=25℃ 6.3 TA=100℃ Drain Current ID A TC=25℃ 60 TC =100℃ 38 Pulsed Drain Current A Avalanche energy Unit B IDM 180 A EAS 64 mJ 2.5 TA=25℃ 1 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W 62.5 TC=25℃ 25 TC =100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55~+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 40 50 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 1.5 1.8 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG60G06A F1 YJG60G06A 5000 10000 100000 13“ reel 1/8 S-E347 Rev.1.0,25-May-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG60G06A 

Дата модификации: 31.05.2023

Размер: 684.7 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.