WMK80N04T1
WMK80N04T1
40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMK80NN04T1 uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet
maintain superior switching performance.
Features
⚫
GD
VDS= 40V, ID = 80A
S
TO-220
RDS(on) < 7mΩ @ VGS = 10V
RDS(on) < 12mΩ @ VGS = 4.5V
⚫
High Density Cell Design
⚫
Fully Characterized A...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-220-3
- Норма упаковки: 50 шт. (в линейках)
- снято с производства
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-220-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 18
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | YJD120N04A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | JMTG4004A (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMTG055N04A (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSL0406AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSL0403AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSL0402BGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSH0406AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSH0403BGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMTK4004A (JIEJIE) | TO252 | 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | YJG130G04A (YJ) | — | Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | |||||||||||||
A+ | YJG100N04A (YJ) | PDFN568 | 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG90N04A (YJ) | — | 252 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | JMTC035N04A (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | IRF1404 (YOUTAI) IRF1404 (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB018N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMO75N04T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJAC130SN04L (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMK80N04T1
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 12.08.2022
Размер: 529 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.