NCE40H12

NCE40H12 http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40H12 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =40V,ID =120A Schematic diagram RDS(ON) <3.1mΩ @ VGS=10V RDS(ON) <7 mΩ @ VGS=4.5V ● High density cell design for ultra...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 32

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMK80N04T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
P- WMM030N06HG4 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P- WMO40N04TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- WMK030N06HG4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- YJP180G04C (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- WMK048NV6HG4 (WAYON)
 
 
P- CJP140N04 (JSCJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
P- IRF1404ZPBF-VB (VBSEMI)
 
 
P- IRF1404ZSPBF-VB (VBSEMI)
 
в ленте 800 шт
 
P- JMTK4004A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
P- HGP028N04A (CRMICRO)
 
TO220AB
 
P- WMK120N04TS (WAYON)
 
в линейках 50 шт
 
A+ CJU110SN04 (JSCJ)
 
TO2522L
 
A+ TSM043NB04CZ C0G (TSC)
 
TO-220-3 50 шт
 
A+ YJD120N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ TSM033NB04LCR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ TSM033NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ TSM025NB04LCR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ TSM025NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ TQM033NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ TQM025NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ YJG130G04A (YJ)
 
 
Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC140SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ TSM038N04LCP ROG (TSC)
 
TO252 2500 шт
 
A+ CJAC130SN04 (JSCJ)
 
 
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
 
±
A+ JMTC035N04A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ YJG200G04AR (YJ)
 
1 шт
 
A+ CJAC110SN04 (JSCJ)
 
 
A+ JMGG020V04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на NCE40H12 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 24.06.2022

Размер: 662.7 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.