NCE40H12
NCE40H12
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE40H12 uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
● VDS =40V,ID =120A
Schematic diagram
RDS(ON) <3.1mΩ @ VGS=10V
RDS(ON) <7 mΩ @ VGS=4.5V
● High density cell design for ultra...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-220-3
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-220-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 32
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | WMK80N04T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | WMM030N06HG4 (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | WMO40N04TS (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | WMK030N06HG4 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | YJP180G04C (YJ) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
P- | WMK048NV6HG4 (WAYON) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P- | CJP140N04 (JSCJ) | TO-220-3 | 1000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
P- | IRF1404ZPBF-VB (VBSEMI) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P- | IRF1404ZSPBF-VB (VBSEMI) | — | в ленте 800 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
P- | JMTK4004A (JIEJIE) | TO252 | 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
P- | HGP028N04A (CRMICRO) | TO220AB | — | — | — | ||||||||||||
P- | WMK120N04TS (WAYON) | — | в линейках 50 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
A+ | CJU110SN04 (JSCJ) | TO2522L | — | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | TSM043NB04CZ C0G (TSC) | TO-220-3 | 50 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJD120N04A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | TSM033NB04LCR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | TSM033NB04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | TSM025NB04LCR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | TSM025NB04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | TQM033NB04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | TQM025NB04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG130G04A (YJ) | — | Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | |||||||||||||
A+ | CJAC200SN04 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAC140SN04 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | TSM038N04LCP ROG (TSC) | TO252 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | CJAC130SN04 (JSCJ) | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJAC130SN04L (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMTC035N04A (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | WMB018N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJG200G04AR (YJ) | — | 1 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | CJAC110SN04 (JSCJ) | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMGG020V04A (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 2500 шт | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE40H12
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 24.06.2022
Размер: 662.7 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.